[发明专利]二氧化锡透明导电膜的制造方法

权利要求书

1.一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，以二氯二乙基锡作源即作为原料，源蒸汽即二氯二乙基锡原料蒸汽由惰性气体携带与氧化气体同时进入喷头的二路气体混器，再由喷头的单缝隙喷口喷到加热的衬底上，并在衬底表面反应生成二氧化锡透明导电膜，衬底的温度为400-600℃，源温即原料二氯二乙基锡的温度高于二氯二乙基锡的熔点，低于其沸点。

2.根据权利要求1的一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，使源温即二氯二乙基锡的温度为90-150℃。

3.根据权利要求1的一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，所说的惰性气体为氮气。

4.根据权利要求1的一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，所说的氧化气体为氧气或水蒸汽或氧气与水蒸汽的混合气体。

5.根据权利要求1的一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，所用的喷口的宽度为0.5～4毫米，喷口的长度为10-110厘米。

6.根据权利要求1的一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，携带源蒸汽的惰性气体的流量为1-20升/分。

7.根据权利要求1的一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，衬底匀速传送通过喷口的速度为10-100毫米/分，到达喷口时衬底温度应达到400-600℃。

8.根据权利要求1或4的一种二氧化锡透明导电膜的制造方法，其特征是，氧化气体的流量为1-20升/分。