[发明专利]半导体晶片的化学机械平面化的改进的方法和装置

权利要求书

1．一种抛光半导体晶片的方法，它包括以下步骤：

提供具有第一部分和第二部分的晶片，所述第一部分处在高于所述第二部分的温度下，以及

使所述晶片与旋转的抛光垫接触。

2．权利要求1的方法，其特征在于：

所述提供晶片的步骤包括把晶片固定在晶片载体内并且加热所述晶片载体的一部分。

3．权利要求2的方法，其特征在于：

所述提供晶片的步骤包括把晶片夹持在晶片载体内并且冷却所述晶片载体的一部分。

4．权利要求1的方法，其特征在于：

所述提供晶片的步骤包括把晶片夹持在晶片载体内并且加热所述晶片载体的第一部分而同时冷却所述晶片载体的第二部分。

5．权利要求3的方法，其特征在于：

所述提供晶片的步骤包括使所述晶片的一部分与冷却流体接触。

6．权利要求2的方法，其特征在于：

所述提供晶片的步骤包括把激光能射向晶片载体的一部分。

7．权利要求2的方法，其特征在于：

所述提供晶片的步骤包括在所述晶片和所述晶片载体之间插入衬膜，所述衬膜具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有不同于所述第二部分的热传导速率，以及

调节所述晶片载体的温度。

8．权利要求7的方法，其特征在于：

所述调节晶片载体的温度的步骤包括加热所述晶片载体。

9．权利要求1的方法，其特征在于：

所述第一部分是圆形的，而所述第二部分是环绕所述第一部分的外部而设置的。

10．权利要求1的方法，其特征在于：

所述第二部分是圆形的，而所述第一部分是环绕所述第二部分的外部而设置的。

11．一种抛光半导体晶片的装置，它包括：

适合于夹持半导体晶片的晶片载体；

温度调节控制器，用来这样改变晶片载体的一部分的温度，使得由晶片载体夹持的晶片具有处在第一温度的第一部分和处在低于第一温度的第二温度的第二部分；以及

旋转的抛光垫，它被定位在与由所述晶片载体夹持的晶片接触的位置。

12．权利要求11的装置，其特征在于：

所述温度调节控制器加热所述晶片载体的一部分。

13．权利要求12的装置，其特征在于：

所述温度调节控制器包括电阻加热器。

14．权利要求11的装置，其特征在于：

所述温度调节控制器冷却所述晶片载体的一部分。

15．一种用于半导体晶片的抛光的衬膜，它包括：

具有第一热传导系数的第一部分；以及

具有第二热传导系数的第二部分，

所述第一热传导系数大于所述第二热传导系数。

16．权利要求15的衬膜，其特征在于：

至少所述第二部分包含颗粒性填充物。

17．权利要求15的衬膜，其特征在于：

至少所述第一部分包含孔隙。

18．一种包括抛光工艺的制造集成电路的方法，所述抛光工艺包括：

提供至少包括第一和第二部分的半导体晶片，其中，所述第一部分具有低于所述第二部分的抛光速率；以及

提高所述第一部分的温度，以便把所述第一部分的抛光速率提高到大约所述第二部分的抛光速率。