[发明专利]超小型电容器阵列

权利要求书

1．一个用于倒置安装到预定表面的小型电容器件，所述的器件包括：

基底；

第一导电层，它设置在所述基底上，所述第一导电层至少限定一个第一电容器板和与第一电容器板邻接的第一终端结构；

介电层，它设置在所述第一电容器板上；和

第二导电层，它至少限定一个第二电容器板和与第二电容器板邻接的第二终端结构，所述第二电容器板与所述第一电容器板相对地设置在所述介电层上。

2．一个如权利要求1的小型电容器件，还包括覆盖在所述基底上的所述层上的封装材料，所述封装材料使所述第一和第二终端结构露出。

3．一个如权利要求2的小型电容器件，其特征在于，所述的介电材料具有的介电常数至少为100。

4．一个如权利要求3的小型电容器件，其特征在于，所述的介电材料包括铅基介电材料。

5．一个如权利要求4的小型电容器件，其特征在于，所述的铅基介电材料包括PZT介电材料。

6．一个如权利要求3的小型电容器件，其特征在于，所述的介电层厚度约不大于1.0μm。

7．一个如权利要求1的小型电容器件，其特征在于，所述的第一导电层至少包括三个第一电容器板，所述的第二导电层至少包括三个分别与三个第一电容器板相对的第二电容器板。

8．一个如权利要求7的小型电容器件，其特征在于，所述的第二导电层还限定与所述的各第二电容器板邻接的相应第二终端结构。

9．一个如权利要求8的小型电容器件，还包括覆盖在所述基底上的所述层上的封装材料，所述封闭材料使所述第一和第二终端结构露出。

10．一个如权利要求1的小型电容器件，其特征在于，所述的基底选自由硅、玻璃或AL₂O₃构成的组。

11．一个在单个封装中具有多个电容器件的小型电容器阵列，所述电容器件包括：

基底：

第一导电层，它设置在所述基底上，所述第一导电层限定多个第一电容器板；

介电层，它设置在所述多个第一电容器板上；和

第二导电层，它限定多个设置在所述介电层上、并与相应的第一电容器板相对的第二电容器板，所述第二导电层还限定与各所述第二电容器板邻接的相应终端结构。

12．一个如权利要求11的小型电容器阵列，还包括覆盖在所述基底上的所述层上的封装材料，所述封闭材料使所述的终端结构露出。

13．一个如权利要求11的小型电容器阵列，其特征在于，所述的第一导电层至少包括三个第一电容器板，所述的第二导电层至少包括三个分别与三个第一电容器板相对的第二电容器板。

14．一个如权利要求13的小型电容器阵列，其特征在于，所述基底的所述顶表面具有约不大于175平方密耳的面积。

15．一个如权利要求14的小型电容器阵列，其特征在于，所述多个电容器件中的每一个均位于相应对的所述终端结构之间。

16．一个如权利要求14的小型电容器阵列，其特征在于，所述电容器件中的每一个均至少具有约560pf的电容量。

17．一个如权利要求11的小型电容器阵列，其特征在于，所述的第一导电层是连续的导电层，其中所述多个电容器板包括它们的集成部分。

18．一个如权利要求17的小型电容器阵列，其特征在于，所述的第一导电层限定一作为其进一步集成部分的公共终端结构。

19．一个如权利要求11的小型电容器阵列，其特征在于，所述的介电材料包括介电常数至少为500的铅基介电材料。

20．一个如权利要求19的小型电容器阵列，其特征在于，所述的铅基介电材料包括PZT介电材料。

21．一个如权利要求19的小型电容器阵列，其特征在于，所述的介电层厚度约不大于1.0μm。

22．一个电子器件，它至少包括一个设置在基底上的薄膜电容器，所述电容器至少具有约14纳法/密耳²的电容量。