[发明专利]免闭锁功率金属氧化物半导体－双极型晶体管及其形成方法无效
| 申请号： | 98806110.4 | 申请日： | 1998-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1126180C | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | R·辛格;J·W·帕莫尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闭锁 功率 金属 氧化物 半导体 双极型 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
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