[发明专利]控制至少一个容性执行元件的装置和方法无效
| 申请号: | 98805862.6 | 申请日: | 1998-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN1095928C | 公开(公告)日: | 2002-12-11 |
| 发明(设计)人: | C·霍夫曼恩;H·弗雷登伯格;H·格肯;M·赫克;R·皮克尔 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
| 主分类号: | F02D41/20 | 分类号: | F02D41/20;H01L41/04 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,叶恺东 |
| 地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 控制 至少 一个 执行 元件 装置 方法 | ||
1.一种用于借助于一个控制电路(ST)控制至少一个容性执行元件(P1至Pn)的,尤其是内燃机燃料喷射阀用的装置,具有布置在电源的正极(+USNT)和负极(GND)之间的一个充电电容器(C1),和具有并联于此充电电容器(C1)布置的由一个旋转线圈(L)与带有从属选择开关(T1至Tn)的至少一个执行元件组成的一个串联电路,并且具有一个放电开关(Te),其特征在于,在充电电容器(C1)和旋转线圈(L)之间布置了一个放电电容器(C2),
安排了测量放电电容器(C2)上的电压(UC2)并且转送到控制电路(ST)上的一个测量电路(S&H),
其中的至少一个选择开关(T1至Tn)是其源极引出线(S)与电源(SNT)的负极(GND)连接的一个N-MOSFET开关,
在正极(+USNT)和放电电容器(C2)之间布置了向放电电容器(C2)方向导电的一个二极管(Da),
构成为N-MOSFET开关的放电开关(Te)的漏极引出线是经向放电开关方向导电的一个二极管(Db)与二极管(Da)的阴极连接的,并且放电开关的源极引出线是经各一个退耦二极管(D1至Dn)与每个选择开关(T1至Tn)的漏极引出线(D)连接的,和
安排了构成为N-MOSFET开关的由控制设备可以控制的一个旁路开关(Bp),旁路开关的漏极引出线是引向在旋转线圈(L)和执行元件(P1至Pn)之间的连接点的,并且旁路开关的源极引出线是与放电开关(Te)的源极引出线连接的。
2.按权利要求1的装置,其特征在于,电源(SNT)是构成为由控制设备(ST)可以控制的一个开关电源设备。
3.按权利要求1的装置,其特征在于,安排了其阴极与旋转线圈(L)连接的一个二极管或齐纳二极管代替旁路开关(Bp)。
4.按权利要求1的装置,其特征在于,安排了从负极(GND)向放电开关(Te)的源极引出线导电的一个二极管(Dc)。
5.一种用于运行按权利要求1的装置的方法,其特征在于,在第一次操作一个执行元件(P1至Pn)之前和在其时间上的间隔超过一个规定持续时间的两次执行元件操作之间,给放电电容器(C2)充电或补充充电,其办法是导通地和随后非导通地至少一次同时地控制旁路开关(Bp)和选择开关(T1至Tn)中的一个,直至由控制设备(ST)规定的一个电压(UC2)位于放电电容器(C2)上时为止;和
只要从属的选择开关(T1至Tn)是导通地控制的,操作一个执行元件(P1至Pn)。
6.按权利要求5的方法,其特征在于,在运行期间控制或调节电源(SNT)的输出电压(+USNT)到恒定的充电电压(UC1+UC2)上,或者到恒定的执行元件电压(Up)上。
7.按权利要求15的方法,其特征在于,在运行期间如下地控制或调节电源(SNT)的输出电压(+USNT),给当时操作的执行元件(P1至Pn)输送恒定的电荷或能量。
8.按权利要求5的方法,其特征在于,当执行元件电压(Up)超过一个规定的极限值时,或者当出现电路差错时,导通地控制旁路开关(Bp)。
9.按权利要求5的方法,其特征在于,当选择开关(T1至Tn)没有一个导通地控制时,导通地控制放电开关(Te)。
10.权利要求5的方法,其特征在于,当流过放电开关(Te)的漏极源极线路的电流,或者位于漏极源极线路上的电压超过一个规定值时,非导通地控制放电开关(Te)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司,未经西门子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/98805862.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一组具有消炎、止痒、抗菌作用的外用浴剂
- 下一篇:节流装置及其运行方法





