[实用新型]隔离栅双极性晶体管的触发和驱动模板

说明书

本实用新型涉及一种隔离栅双极性晶体管的触发和驱动模板。

隔离栅双极性晶体管(IGBT)，兼有双极性功率晶体管高耐压大容量的特点和功率MOIFET(即金属氧化半导体场效应管，开关速度高，驱动功率小的特点。

对于隔离栅双极性晶体管(IGBT)，其触发和驱动是关键，由于该双极性晶体管有过电流保护的要求，通常它只能承受于10微秒的过电流，同时由于电路电感的存在，所以在过电流的瞬间，其集电极(C)处常会发生尖的脉冲，如采用正常驱动速度来关断电过流状态下的隔离栅双极性晶体管，就达不到保护的要求，因此要采取低速切断电路，使双极性晶体管不致损坏，这称为“软关断”，目前采用TLP250芯片或EXP841厚膜电路芯片来实现，缺点是造价偏高，而且电路不能小型化。

本实用新型的目的是要提供一种隔离栅双极性晶体管的触发和驱动模板它可克服上述的缺点，该模板成本低，可以小型化设计，性能极为可靠，其电路有光电隔离和单电压供电，而且有过电流保护和记忆，而且双极性晶体管有过电流瞬间采用软关断的技术，可以有效地防止过电流瞬间在集电极处产生电压尖脉冲损坏晶体管。

本实用新型的目的是这样实现的：

一种隔离栅双极性晶体管的触发和驱动模块，其特征在于模板的直流稳压电路ZH的输入端1，2端接于变压器TC，其输出端3端与脉宽调置电源M的4端相接，直流稳压电源ZH的输入端1，2端，即XS1端接于变压器TC输出端，直流稳压单元ZH的输出端(3)输出+12V直流电压，且与脉宽调置电源M的4端相接，同时又接于触发信号发生单元CH输入端(9)，CH的6，7，8端(即XS4端)与CPU相接，而10端与过电流记录和锁定单元G的11端相接，CH的A，B，C，D端接于母线4分别接于驱动单元T的A端(即2端)，驱动单元E的B端(即21端)，另一驱动单元T的C端(即21端)，另一驱动单元E的D端(即33端)，CH的B端又接于二极管D2的正极，D2负极接于G的13端，CH的D端又接于二极管D1正极，D1负极又接于G的12端；

驱动单元T的3，4端，(即XS2端)与I₁相接，驱动单元E的18端与母线8相接，再接于电源单元M的5端，E的22端、19端各与发光二极管D3的正极和负极相接，E的23端，20端(即XS2端)接于I₃；

另一个驱动单元T的24端接于母母8，再接于M的5端，而25，26端(即XS3端)接于I₂，另一个驱动单元E的28端也接于母线8，再接于M的5端，而29端、30端各与发光二极管D4的正负极相接，31，32端(即XS3端)与I4相接；

锁定单元G的16端接于发光二极管D4负极，17端接发光二极管D3负极，G的14，15端(即XS4端)也与CPU相接，同时又与开关SB相接。

模板(1)通过螺钉固定在带有镶螺母的金属底板2上，底板(2)是U型零件，两侧均有出线孔，上盖(3)是一块单面复铜板，该复铜板面向内侧与金属制成的两侧翼(4)铆接在一起。

图1触发和驱动模板(ICM)示意图；

图2触发和驱动模板应用的示意图；

图3触发驱动模板示意图。

兹结合附图对隔离栅双极性晶体管触发驱动模板的结构和原理详细叙述：

由图1，隔离栅双极性晶体管触发一驱动模板(简称ICM)是由8部分组成，它包括直流稳压单元ZH，脉冲调置开关电源单元M，触发信号发生单元CH，2个由光耦驱动器(TCP250芯片)为核心的驱动单元T，2个由光耦驱动器(EXP841)组成的驱动单元E以及过电流记录和锁定单元G。

直流稳压电源ZH的输入端1，2端，，即XS1端接于变压器TC输出端，直流稳压单元ZH的输出端(3)输出+12V直流电压，且与脉宽调置电源M的4端相接，同时又接于触发信号发生单元CH输入端(9)，CH的6，7，8端(即XS4端)与CPU相接，而10端与过电流记录和锁定单元G的11端相接，CH的A，B，C，D端接于母线4分别接于驱动单元T的A端(即2端)，驱动单元E的B端(即21端)，另一驱动单元T的C端(即21端)，另一驱动单元E的D端(即33端)，CH的B端又接于二极管D2的正极，D2负极接于G的13端，CH的D端又接于二极管D1正极，D1负极又接于G的12端。