[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 98126502.2 | 申请日： | 1998-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1225509A | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 松田修一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1．半导体器件，包括：
布线基片，具有在一个表面上形成的布线的预定图形；
半导体芯片，设置于所述布线基片的另一个表面上，并具有在公共布线层中的两个或更多个芯片电极；
所述布线基片带有多个通孔：和
以与所述芯片电极相面对的关系分别形成于所述通孔中的多个凸点，所述凸点与所述布线和所述芯片电极电连接。
2．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，从所述半导体芯片的边缘朝向其内侧排列所述芯片电极。
3．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极与所述半导体芯片的边缘平行地排列，并且所述布线在至少一个位置弯折。
4．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极与所述半导体芯片的边缘平行地排列，并且所述布线具有其宽度大于所述芯片电极之间的内电极距离的端部。
5．如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极包括选自所述半导体芯片的接地端、电源接线端和信号接线端中的至少一种接线端。
6．半导体器件，包括：
布线基片，具有在一个表面上形成的布线的预定图形；
半导体芯片，设置于所述布线基片的上述表面上，并具有在公共布线层中的两个或更多个芯片电极；和
分别以与所述芯片电极相面对的关系设置于所述布线上的多个凸点，所述凸点与所述布线和所述芯片电极电连接。
7．如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，从所述半导体芯片的边缘朝向其内侧排列所述芯片电极。
8．如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极与所述半导体芯片的边缘平行地排列，并且所述布线在至少一个位置弯折。
9．如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极与所述半导体芯片的边缘平行地排列，并且所述布线具有其宽度大于所述芯片电极之间的内电极距离的端部。
10．如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极包括选自所述半导体芯片的接地端、电源接线端和信号接线端中的至少一种接线端。
11．半导体器件，包括：
TAB(载带自动键合)带，具有在一个表面上形成的布线的预定图形；
半导体芯片，设置于所述TAB带的另一个表面上，并具有在公共布线层中的两个或更多个芯片电极；
所述TAB带带有多个通孔；和
分别以与所述芯片电极相面对的关系设置于所述通孔中的多个凸点，所述凸点与所述布线和所述芯片电极电连接。
12．如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，从所述半导体芯片的边缘朝向其内侧排列所述芯片电极。
13．如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极与所述半导体芯片的边缘平行地排列，并且所述布线在至少一个位置弯折。
14．如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极与所述半导体芯片的边缘平行地排列，并且所述布线具有其宽度大于所述芯片电极之间的内电极距离的端部。
15．如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极包括选自所述半导体芯片的接地端、电源接线端和信号接线端中的至少一种接线端。
16．半导体器件，包括：
TAB带，具有在一个表面上形成的布线的预定图形；
半导体芯片，设置于所述TAB带的上述表面上，并具有在公共布线层中的两个或更多个芯片电极；和
分别以与所述芯片电极相面对的关系设置于所述通孔中的多个凸点，所述凸点与所述布线和所述芯片电极电连接。
17．如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，从所述半导体芯片的边缘朝向其内侧排列所述芯片电极。
18．如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片电极与所述半导体芯片的边缘平行地排列，并且所述布线在至少一个位置弯折。
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