[发明专利]氮化膜的制造方法无效
| 申请号： | 98124326.6 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1249268A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | 高松勇吉;米山岳夫;石滨义康 | 申请（专利权）人： | 日本派欧尼股份株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/00 | 分类号： | C01B21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄泽雄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种用化学汽相淀积法制造氮化膜的方法，包括以含叔-丁基联氮作为氮源主要成份的材料气与有机金属化合物，金属卤化物或金属氢化物的材料气反应而在衬底上淀积氮化膜的工艺步骤。
2、一种制造氮化膜的方法，包括用含叔-丁基联氨作为氮源主要成份的材料气使包含金属或金属氧化物的衬底表面氮化的工艺步骤。
3、一种按权利要求1或2的制造氮化膜的方法，其中，叔-丁基联氨是纯度为99.999％以上的提纯过的叔-丁基联氨。
4、一种按权利要求3的制造氮化膜的方法，其中，提纯过的叔-丁基联氨的提成方法是，使叔-丁基联氨在只有叔-丁基联氨汽化压力或叔-丁基联氨与惰性气体两者的汽化压力下与毛细孔直径为3至4*的合成沸石吸附剂以气相接触。
5、一种按权利要求1的氮化膜制造方法，其中，有机金属化合物是铝、镓或铟的烷基化合物，或是钛、锆、钽、钨或硅的烷基胺化合物。
6、一种按权利要求1的氮化膜制造方法，其中金属卤化物是钛、锆、钽、钨、硅或镓的氟、氯、溴、碘的化合物。
7、一种按权利要求1的氮化膜制造方法，其中，金属氢化物是硼、硅、锡、锑或锗的氢化物。
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