[发明专利]声表面波器件的制造方法

说明书

本发明涉及一种制造诸如声表面波滤波器、声表面波谐振谐振器等声表面波器件的方法，本发明尤其涉及制造声表面波器件的方法，在所述方法中改进了调节频率的步骤。

使用一种声表面波器件，用于确定诸如滤波器、谐振器等各种部件。在制造这种声表面波器件中，在压电基片上至少形成一个叉指式换能器(下面称为“IDT”)。在声表面波器件中，根据想要的部件而适当地选出IDT的数量、其它电极的形状和数量。

当被用作滤波器或谐振器时，必须制造声表面波器件以达到需要的频率特性。但是，有一个问题，即，声表面波器件的频率特性由于各个压电基片之间物理性质的变化以及在形成IDT中的制造精密度差而偏离所设计的特性。

因此，已经提出了一种制造声表面波器件的方法，其中通过控制形成在声表面波器件上的聚酰亚胺树脂覆盖层的厚度能够调节频率(例如，见第61-208916和8-32392号日本专利公开)。

更具体些说，第61-208916号日本专利公开中揭示，通过在声表面波器件上设置聚酰亚胺树脂覆盖层从而具有预定的厚度，能够调节声表面波器件的工作频率。

第8-32392号日本专利公开中揭示了一种方法，其中，通过旋涂法在传播声表面波的基片表面上形成氟化聚酰亚胺树脂覆盖层，其厚度相应于所需的频率调节量。第8-32392号日本专利公开中还揭示，氟化聚酰亚胺树脂覆盖层可以由含氧等离子体加以蚀刻，用于进一步调节频率。

但是，上面说明的使用聚酰亚胺树脂覆盖层的传统方法只能降低声表面波器件的工作频率。即，不可能调节声表面波器件的工作频率从而提高其工作频率。

另外，当通过使用含氧的等离子体来蚀刻氟化聚酰亚胺树脂覆盖层时，必需使用真空装置。因此，每一个需要频率调节的声表面波器件必须装在真空室中，并且真空箱必须随后抽真空。结果，需要相当长的时间调节大量声表面波器件的频率，这使频率调节程序具有较低的通过速度。

为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种制造声表面波器件的方法，这种方法能通过将工作频率移至较低和较高频率侧能够调节声表面波器件的工作频率，并且这种方法以高通过速度进行声表面波器件工作频率的调节。

根据本发明的较佳实施例，一种制造声表面波器件(该器件具有压电基片和设置在压电基片上的叉指式换能器)的方法包括在压电基片上形成由无机材料或有机材料制成的覆盖层，以覆盖叉指式换能器，并通过激光光束蚀刻覆盖层以调节声表面波器件的工作频率的步骤。

这种方法还包括决定要提高增加还是降低频率，以及在要提高工作频率的情况下为覆盖层选择一种特别的无机材料，以及在要降低工作频率的情况下选择一种特别的有机材料的步骤。然后，根据选择步骤的结果，执行形成覆盖层的步骤。

最好，在大气压下执行蚀刻步骤。无机材料最好是从包括SiO₂、SiO、ZnO、Ta₂O₅、TiO₂和WO₃的组中选出的至少一种材料。有机材料最好是从包括聚酰亚胺、聚对亚苯基二甲基和硅酮的组中选出的至少一种材料。

根据本发明的较佳实施例，和传统的调节频率的方法相比，可以以高精度调节工作频率，因而能够以低成本可靠地提供具有所需的精确频率的声表面波器件。

为了描述本发明，附图中示出几个目前较佳的形式，但是，应该知道，本发明不限于所示的严格的安排和手段。

图1是示意截面图，描述在本发明的一个较佳实施例中用激光辐照来调节声表面波器件的频率的步骤。

图2是透视图，示出根据本发明的较佳实施例得到的用作声表面波器件的端面反射型声表面波器件。

图3是曲线图，示出在本发明的较佳实施例的一个实验例(在该例子中，覆盖层由SiO₂薄膜制成)中，SiO₂薄膜的蚀刻量H/λ和频率离中心频率的变化Δf₀之间的关系。

图4是曲线图，示出在本发明的较佳实施例的一个实验例(在该例子中，覆盖层由SiO薄膜制成)中，SiO薄膜的蚀刻量H/λ和频率离中心频率的变化Δf₀之间的关系。

图5是曲线图，示出在本发明的较佳实施例的一个实验例(在该例子中，覆盖层由聚酰亚胺薄膜的较佳实施例构成)中，聚酰亚胺薄膜的蚀刻量H/λ和频率离中心频率的变化Δf₀之间的关系。