[发明专利]声表面波器件的制造方法

权利要求书

1．一种制造具有压电基片和设置在所述压电基片上的叉指式换能器的声表面波器件的方法，其特征在于包括下述步骤：

在所述压电基片上形成由无机材料或有机材料制成的覆盖层，从而覆盖所述叉指式换能器；及

蚀刻所述覆盖层，以调节所述声表面波器件的工作频率。

2．如权利要求1所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于还包括下述步骤：

确定所述工作频率要提高还是降低；

如果要提高所述工作频率，则为覆盖层选择一种无机材料，如果要降低所述工作频率，则为覆盖层选择一种有机材料；及

根据所述选择步骤的结果形成覆盖层。

3．如权利要求1所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述蚀刻的步骤在一大气压下进行。

4．如权利要求1所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于无机材料是从由SiO₂、SiO、ZnO、Ta₂O₅、TiO₂和WO₃构成的组中选出的至少一种材料。

5．如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于所述有机材料是从由聚酰亚胺、聚对亚苯基二甲基和硅酮中选出的至少一种材料。

6．如权利要求1所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述声表面波器件是端面反射型声表面波器件。

7．如权利要求1所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述声表面波器件使用Bleustein-Gulyaev-Shimizu波。

8．如权利要求1所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述蚀刻的步骤使用激光进行。

9．如权利要求2所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述确定所述工作频率要提高还是降低的步骤包括下述步骤：检查声表面波器件的频率特性，以确定实际工作频率，以及将所述实际工作频率和想要的工作频率比较。

10．一种制造声表面波器件的方法，其特征在于包括下述步骤：

提供压电基片；

在压电基片的表面上形成叉指式换能器；

在压电基片上形成覆盖层，以覆盖所述叉指式换能器；以及

蚀刻所述覆盖层，以提高或降低声表面波器件的频率。

11．如权利要求10所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于形成覆盖层的步骤包括形成有机材料或无机材料覆盖层的步骤。

12．如权利要求11所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于还包括下述步骤：

确定所述工作频率要提高还是降低；

如果工作频率要提高，则为所述覆盖层选择一种无机材料，如果所述工作频率要降低，则为所述覆盖层选择一种有机材料；以及

根据所述选择步骤的结果进行形成覆盖层的步骤。

13．如权利要求10所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述蚀刻步骤在大气压下进行。

14．如权利要求11所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述无机材料是从SiO₂、SiO、ZnO、Ta₂O₅、TiO₂和WO₃构成的组中选出的至少一种材料。

15．如权利要求11所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述有机材料是从由聚酰亚胺、聚对亚苯基二甲基和硅酮中选出的至少一种材料。

16．如权利要求10所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述声表面波器件是端面反射型声表面波器件。

17．如权利要求10所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述声表面波器件使用Beustein-Gulyaev-Shimizu波。

18．如权利要求10所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述蚀刻步骤使用激光进行。

19．如权利要求13所述的制造声表面波器件的方法，其特征在于所述确定工作频率要提高还是降低的步骤包括下述步骤：检查声表面波器件的工作频率，以决定实际的工作频率，以及比较所述实际的工作频率和所想要的工作频率。