[发明专利]高可靠性的槽式电容器型存储器单元

权利要求书

1．一种半导体存储器，包括：

第一导电型的半导体衬底(1)，在所述半导体衬底内形成有槽(14)；

形成于所述半导体衬底内的第二导电型的第一和第二杂质扩散源/漏区(12,13)，所述第二杂质扩散区与所述槽相邻；

埋置于所述槽中的电容器电极(7)；

所述第二导电型的衬底侧电容器电极(8)，形成于所述半导体衬底内且与所述电容器电极的下部相邻；

电容器绝缘层(6)，形成于所述电容器电极与所述衬底侧电容器电极之间；

形成于所述半导体衬底与所述电容器电极的上部之间的埋置的绝缘层(5)，在所述半导体衬底上的所述埋置的绝缘层有第一厚度，该第一厚度大于所述电容器绝缘层的厚度，在所述第二杂质扩散源/漏区的表面上的所述埋置的绝缘层有第二厚度，该第二厚度小于所述第一厚度；和

形成于所述第二杂质扩散源/漏区和所述电容器电极上的硅化物层(15)。

2．根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述硅化物层由硅化钛构成。

3．一种半导体存储器，包括：    

第一导电型的半导体衬底(1)，在所述半导体衬底内形成有槽(14)；

形成于所述半导体衬底内的第二导电型的第一和第二杂质扩散源/漏区(12,13)，所述第二杂质扩散区与所述槽相邻；

埋置于所述槽中的电容器电极(7)；

所述第二导电型的衬底侧电容器电极(8)，形成于所述半导体衬底内且与所述电容器电极的下部相邻；

电容器绝缘层(6)，形成于所述电容器电极与所述衬底侧电容器电极之间；

形成于所述半导体衬底与所述电容器电极的上部之间的埋置的绝缘层(5)，在所述半导体衬底上的所述埋置的绝缘层有第一厚度，该第一厚度大于所述电容器绝缘层的厚度，所述第二杂质扩散源/漏区直接与在所述埋置的绝缘层上的所述电容器电极接触；和

形成于所述第二杂质扩散源/漏区和所述电容器电极上的硅化物层(15)。

4．根据权利要求3所述的器件，其特征在于所述硅化物层由硅化钛构成。

5．一种半导体存储器的制造方法，包括下列步骤：

在半导体衬底(1)上形成有开口的掩模绝缘层(21,22,23)；

用所述掩模绝缘层作为掩模，在所述半导体衬底内钻出第一槽(24)；

在所述第一槽的侧壁上形成侧壁抗氧化层(25)；

用所述侧壁抗氧化层作为掩模，在所述半导体衬底内钻出第二槽(26)；

用所述侧壁抗氧化层作为掩模，在所述半导体衬底上进行热氧化处理，以便在所述第二槽内形成埋置的氧化硅层(27)；

用干腐蚀法去除所述埋置的氧化硅层的底部；

用所述侧壁抗氧化层和所述埋置的氧化硅层作为掩模，在所述半导体衬底内钻出第三槽(4)；

在所述第三槽内表面上的所述半导体衬底内形成衬底侧电容器电极(8)；

在形成所述衬底侧电容器电极之后，去除所述侧壁抗氧化层；

在去除所述侧壁抗氧化层之后，在所述衬底侧电容器电极上形成电容器绝缘层(6)；

在形成所述电容器绝缘层之后，在所述第一、第二和第三槽中埋置电容器电极(7)；

在所述半导体衬底内形成第一和第二源/漏区(12,13)，所述第二源/漏区通过所述埋置的氧化硅层与所述电容器电极接触；和

在所述第二源/漏区和所述电容器电极上生长硅化物层(15)。

6．根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底侧电容器电极形成步骤包括用旋转倾斜离子注入法注入杂质离子的步骤。