[发明专利]双向功率半导体元件

权利要求书

1．一种双向功率半导体元件(1)，包括至少一个第一和一个第二晶闸管(2)，每个晶闸管具有一个阴极(5)、一个阳极(4)和一个门极(6)，其中晶闸管(2)以相反极性地串联连接，由此晶闸管的阴极(5)相连，其中每个单元中的二极管(3)与晶闸管反接，其中晶闸管的门极(6)相互电连接并形成公用的控制连接部分(7)。

2．根据权利要求1所要求的元件，其中晶闸管的相互连接的阴极(5)形成辅助的阴极连接部分(14)。

3．根据权利要求1或2所要求的元件，其中晶闸管具有非对称的阻断特性。

4．根据以上任意一个权利要求所要求的元件，其中晶闸管在阳极发射极的区域内具有一个停止层，二极管在它们的阴极区域内有一个停止层。

5．根据以上任意一个权利要求所要求的元件，其中每个晶闸管和相关的反接二极管形成在包括晶闸管和二极管的特定半导体晶片(8)中，二极管(3)同心地环绕各晶闸管(2)。

6．根据权利要求5所要求的元件，其中半导体晶片(8)容纳在一个共同的管壳(9)内。

7．根据权利要求6所要求的元件，其中管壳(9)为压力接触管壳，其中压力件(10)将接触盘(11)压到半导体晶片(8)上，两个半导体晶片一个叠加在另一个之上，接触环(12)和电连接到两个门极的接触系统(13)插于其中。