[发明专利]能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其绝缘材料至少部分由非晶氟化碳膜构成，该器件包括：

至少部分在所说非晶氟化碳膜与金属材料之间的界面处包括高熔点含氮金属膜的膜部件。

2.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说高熔点含氮金属膜有导电性。

3.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说高熔点含氮金属膜为含氮钛膜。

4.如权利要求3的半导体器件，其特征为，所说含氮钛膜有约1∶1的钛与氮的组分比。

5.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说金属材料包括选自铝、钛、钨、铜和硅构成的组中的金属。

6.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说金属材料包括至少含选自铝、钛、钨、铜和硅构成的组中的一种金属的合金。

7.如权利要求1的半导体器件，其特征为，所说非晶氟化碳膜至少用作多层布线结构中的部分层间绝缘膜。

8.如权利要求7的半导体器件，其特征为，所说膜部件包括高熔点含氮金属膜，该含氮金属膜至少形成在所说非晶氟化碳膜与通孔侧壁上所说金属材料之间的界面上。

9.一种制造半导体器件的方法，所说方法包括以下步骤：

形成至少包括非晶氟化碳膜的绝缘膜；

选择腐蚀所说绝缘膜；

在所说绝缘膜上形成导电高熔点含氮金属膜；

形成布线金属膜；

至少加热所说高熔点含氮金属膜。

10.如权利要求9的方法，其特征为，所说布线金属包括选自铝、钛、钨、铜和硅构成的组中的金属。

11.如权利要求9的方法，其特征为，所说布线金属包括至少含选自铝、钛、钨、铜和硅构成的组中的一种金属的合金。

12.如权利要求9的方法，其特征为，所说加热步骤在200℃到400℃之间的温度进行，包括200℃和400℃。

13.如权利要求9的方法，其特征为，所说导电高熔点含氮金属膜为含氮钛膜。

14.如权利要求9的方法，其特征为，：所说含氮钛膜有约1∶1的钛与氮的组分比。

15.一种制造半导体器件的方法，所说方法包括以下步骤：

形成至少部分包括非晶氟化碳膜的绝缘膜；

选择腐蚀所说绝缘膜；

在所说绝缘膜上形成导电高熔点含氮金属膜；

在所说高熔点含氮金属膜上形成钛膜；

形成包括铝的布线金属膜；

至少加热所说导电高熔点含氮金属膜。

16.如权利要求15的方法，其特征为，所说加热步骤在200℃到400℃之间的温度进行，包括200℃和400℃。