[发明专利]半导体存储器件

说明书

本发明涉及诸如ROM(只读存储器)这样的半导体存储器件。

本发明基于日本专利申请No.平9-204907，在这里作为参考引入其内容。

通常，在这种类型的普通半导体存储器件中，提供一种读取特定地址数据的高速读取方式，其中通过在存储单元矩阵中读取多个数据后将页面解码器的地址数据进行转换而执行读取，并传送给并行的读出放大器。由此，通过在页面访问方式中传输数据地址进行高速读取操作。

图11是作为具有页面访问方式的ROM(只读存储器)的一个例子，包括页面访问方式的常规四位半导体存储器件的结构方框图。

如该图所示，常规的ROM提供有地址缓冲器电路100、CE缓冲器电路101、存储单元矩阵107、X解码器103、Y解码器104、Y选择器、读出放大器电路110、页面解码器102、读出放大器选择电路150和输出缓冲器113。

地址缓冲器电路100接收来自外部的地址输入信号AD0-ADn，CE缓冲器电路101接收来自外部的控制信号CE。存储单元矩阵107存储并保持存储数据。X解码器103沿存储单元矩阵107的字线方向选择数据。Y解码器104和Y选择器108沿数字线方向选择数据。用CE缓冲器电路101的输出控制信号CEB预充电选择的存储单元矩阵107的数字线后，读出放大器110读取并检测存储在存储单元矩阵107内的数据信息。

页面解码器102接收用于页面访问方式的输出地址信号作为输入信号，并对多个读出放大器电路110的输出信号加以选择。读出放大器选择电路150选择由页面解码器电路102选择的读出放大器电路100的输出信号并输出该选择的信号。输出缓冲器113将选择电路150输出的数据输出到输出端114。

下面介绍具有四位页面访问方式的常规存储器件的取读操作。

一般来说，在具有页面访问方式的半导体存储器件的读取功能中有两种类型的读取方式，例如正常的访问方式和页面访问方式，通过快速切换地址读取数据的访问功能称做页面访问方式功能。

首先，介绍正常的访问方式。

通过下面的步骤进行使用正常访问方式的数据读取操作。将地址输入信号AD0到ADn和来自外部的控制信号CE设定到激活状态(当CEB信号为L时激活)后，然后将4位存储单元矩阵中的数据读取到四个读出放大器电路110，即SA0到SA3，然后输出使用页地址AD0到ADn选择的一位数据。在正常的访问方式中需要的第一访问时间设定为tACC或tCE。

接下来，介绍页面访问方式。

通过下列的步骤进行使用页方式的数据读取操作。使用正常访问方式的读取操作完成后，通过仅切换页地址AD0和AD1，通过输出缓冲器113处理页面解码器102的输出信号PSm(m＝0，1，2，3)和由页选择电路150选择的读出放大器电路110的输出信号SAoutm(m＝0，1，2，3)，数据OUTn(n＝0，1，2-n)输出到输出端114。此时，由于数据已传输并确定在读出放大器电路中后进行数据读操作，因此可以得到高速读取。使用页面访问方式读取需要的第二访问时间设定为tPAC。一般来说，访问时间tPAC远快于使用正常访问方式的访问时间，可以实现访问时间tPAC在tACC或tCE的1/2或1/3范围内。

如前所述，在具有使用页面访问方式读取电路的常规读电路中，通过激活多个读出放大器电路，仅有由页选择电路150选择的读出放大器电路110的输出信号SAoutm借助后面输出缓冲器113输出到输出端114，作为数据OUTn(n＝0，1，2-n)。由于有必要在备用状态中维持未被页选择电路150选中的选择放大器电路110的输出信号直到它们转变为选中状态，因此在读出放大器电路中的电流消耗很大。

这里，在读出放大器电路110中流动的电流波形显示为图12中的ISA和ISAA。ISA表示对应于一个读出放大器110在访问时间内的电流波形，ISAA表示对应于一个输出在访问时间内的电流波形。在常规的器件中，由于器件包括与四位页面访问方式相同电流容量的读出放大器电路110，ISA和ISAA之间的关系可表示为ISAA＝4^*(ISA)，ISAA为ISA的四倍。而且，读出放大器电路中流动的电流波形差异取决于访问方式，一般来说，有三种类型的访问方式。下面介绍不同访问方式中的读出放大器电路的电流波形。