[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号: | 98103458.6 | 申请日: | 1998-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN1206918A | 公开(公告)日: | 1999-02-03 |
| 发明(设计)人: | 铃木宏一 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | G11C17/00 | 分类号: | G11C17/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
1.一种提供有页面访问方式的半导体存储器件,包括:
多个存储单元;
Y选择器,用于在多个数字线中选择一个或多个数字线;
多个读出放大器电路,用于放大通过所述Y选择器读取的数据;
选择器,用于在所述多个读出放大器中选择一个读出放大器,并将该读出放大器电路的数据传输到输出缓冲器;以及
控制电路,用于控制所述多个读出放大器电路和所述选择器;
其特征在于所述器件还包括:
在正常访问操作中使用的读出放大器,其尺寸上与所述多个读出放大器不同,用于检测在正常访问操作中读取的数据;以及
在页访问操作中使用的读出放大器,用于检测在页访问操作中读取的数据;
其中所述控制电路进行切换以激活正常访问操作中的所述读出放大器。
2.根据权利要求1的半导体存储器件,其中用于检测在正常访问操作中读取数据的所述正常访问读出放大器的驱动容量设定在高电平。
3.根据权利要求1的半导体存储器件,其中用于检测在页访问操作中读取数据的所述页访问读出放大器的驱动容量设定在低电平。
4.根据权利要求1的半导体存储器件,其中所述器件还包括用于页访问操作的所述读出放大器,其数目与用于正常访问操作读出放大器的数目相同并提供有相同数目的页面数;读出放大器选择器,其中所述控制电路选择并激活要在正常访问方式操作中激活的读出放大器。
5.根据权利要求1的半导体存储器件,其中所述器件还包括用于正常访问操作的一个读出放大器、用于页访问操作的读出放大器,其数目与页面数相同;读出放大器选择器,其中所述控制电路选择并切换要在正常访问方式操作中激活的读出放大器。
6.根据权利要求1的半导体存储器件,其中通过启动正常访问方式操作确定检测的数据后,控制所述控制电路以在多个锁存电路之中通过译码电路和选择器选择一个锁存电路并将数据传输到输出缓冲器。
7.根据权利要求4的半导体存储器件,其中所述控制电路仅激活在用于正常访问方式操作的读出放大器之中和用于页面访问方式操作的读出放大器之中所选择的读出放大器。
8.根据权利要求1的半导体存储器件,其中,所述控制电路使用于正常访问方式操作的读出放大器的激活启动时间相对于用于页面访问方式操作的读出放大器的激活启动时间发生漂移。
9.根据权利要求1的半导体存储器件,其中,所述控制电路使用于正常访问方式操作的读出放大器的激活完成时间相对于用于页面访问方式操作的读出放大器的激活完成时间发生漂移。
10.根据权利要求1的半导体存储器件,其中所述控制电路在页面访问方式操作中设定激活完成时间,只要页访问速度不减小。
11.根据权利要求1的半导体存储器件,其中通过判断数据是用于正常访问方式操作的读出放大器还是用于页面访问方式操作的读出放大器,所述控制电路控制和选择锁存电路。
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