[发明专利]混合模拟-数字集成电路及其制作方法

权利要求书

1.一个采用在一个基片绝缘层之上具有有源半导体层的SOI基片的混合模拟—数字集成电路，其特征在于一个模拟电路模块和一个数字电路模块构造在所述有源半导体层内，而用于隔开所述有源半导体层并且到达所述基片绝缘层的一个模块间绝缘膜是形成在两个模块之间。

2.根据权利要求1所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于所述模拟电路模块包括一组具有不同电源电压的模拟电路模块，而这些具有不同电源电压的模拟电路模块还通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

3.根据权利要求1所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于所述数字电路模块包括一个易于产生数字噪声的数字电路模块和另一个数字电路模块，而这些模块还通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

4.根据权利要求1所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于所述数字电路模块包括一个敏感数字噪声的数字电路模块和另一个数字电路模块，而这些模块还通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

5.根据权利要求1所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于一个P-型MOS场效应晶体管组和一个N-型MOS场效应晶体管组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

6.根据权利要求2所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于一个P-型MOS场效应晶体管组和一个N-型MOS场效应晶体管组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

7.根据权利要求3所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于一个P-型MOS场效应晶体管组和一个N-型MOS场效应晶体管组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

8.根据权利要求4所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于一个P-型MOS场效应晶体管组和一个N-型MOS场效应晶体管组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

9.根据权利要求1所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于每个都具有一个公共基片布线端的两个或更多的元件组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

10.根据权利要求2所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于每个都具有一个公共基片布线端的两个或更多的元件组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

11.根据权利要求3所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于每个都具有一个公共基片布线端的两个或更多的元件组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

12.根据权利要求4所述的混合模拟—数字集成电路，其特征在于每个都具有一个公共基片布线端的两个或更多的元件组是通过一个模块间绝缘膜彼此绝缘。

13.一个制造如权利要求1所述的混合模拟—数字集成电路的过程，其特征在于包括下列步骤：

形成半导体元件，它被在SOI基片上的有源半导体层内分为后面所述的模块；

蚀刻有源半导体层以去除期望的部分；

填充一种绝缘体到蚀刻形成的空腔并且接着弄平该表面以便于形成一个层间绝缘膜；以及

形成层间绝缘膜和进行电连接。

14.一个制造如权利要求2所述的混合模拟—数字集成电路的过程包括下列步骤：

形成半导体元件，它被在SOI基片上的有源半导体层内分为后面所述的模块；

蚀刻有源半导体层以去除期望的部分；

填充一种绝缘体到蚀刻形成的空腔并且接着弄平该表面以便于形成一个层间绝缘膜；以及

形成层间绝缘膜和进行电连接。

15.一个制造如权利要求3所述的混合模拟—数字集成电路的过程，其特征在于包括下列步骤：

形成半导体元件，它被在SOI基片上的有源半导体层内分为后面所述的模块；

蚀刻有源半导体层以去除期望的部分；

填充一种绝缘体到蚀刻形成的空腔并且接着弄平该表面以便于形成一个层间绝缘膜；以及

形成层间绝缘膜和进行电连接。