[发明专利]分析电路测试结果的装置和方法及存储分析程序的记录介质无效
| 申请号: | 98102094.1 | 申请日: | 1998-06-11 |
| 公开(公告)号: | CN1212397A | 公开(公告)日: | 1999-03-31 |
| 发明(设计)人: | 杉本正明 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | G06F11/00 | 分类号: | G06F11/00;G01R31/28 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 分析 电路 测试 结果 装置 方法 存储 程序 记录 介质 | ||
1.一种用于分析具有一个初级电路和一个次级电路组的电路的测试结果的电路测试结果分析装置,次级电路组包括在所述初级电路的影响下分别适应造成功能缺陷的多个次级电路,所述装置包括数据库装置和用于分离缺陷数据的缺陷数据分离装置,
其中所述数据库装置保持有关分别配置在一个衬底上的所述初级电路和所述次级电路组的位置信息和所述初级电路和所述次级电路组之间的互连信息作为所述初级电路和所述次级电路组之间组合形式的信息,并判断当所有次级电路有同等功能缺陷时是所述初级电路造成缺陷,当所述次级电路组的一个次级电路比任何其它次级电路有更多功能缺陷时判断该特定次级电路造成缺陷;和
其中所述缺陷数据分离装置根据所述数据库装置中的有关判断在一类属于造成某些缺陷的电路的缺陷数据和另一类属于不造成缺陷的电路的缺陷数据之间进行区分。
2.根据权利要求1所述的电路测试结果分析装置,其中所述缺陷数据分离装置适合于根据所述数据库装置中保存的每一类所述缺陷数据和所述位置信息得出有缺陷电路对应于衬底的频率分布。
3.一种用于分析具有一个初级电路和一个次级电路组的电路的测试结果的分析电路测试结果的方法,次级电路组包括在所述初级电路的影响下分别适应造成不良作用的多个次级电路,所述方法包括:
第一步骤,保持有关分别配置在一个衬底上的所述初级电路和所述次级电路组的位置信息以及所述初级电路和所述次级电路组之间的互连信息作为所述初级电路和所述次级电路组之间组合形式的信息;
第二步骤,当所有所述次级电路有相似的功能缺陷时判断是所述初级电路造成缺陷,当所述次级电路组的一个次级电路比任何其它次级电路有更多功能功能缺陷时则判断该特定次级电路造成缺陷;和
第三步骤,根据所述第二步骤的判断在一类属于电路造成缺陷的缺陷数据和另一类属于电路不造成缺陷的缺陷数据之间区分缺陷数据。
4.根据权利要求3所述的分析电路测试结果的方法,其中所述方法进一步包括根据所述数据库装置中保持的每一类缺陷数据和所述位置信息得出有缺陷电路对应于所述衬底的频率分布的第四步骤。
5.根据权利要求4所述的分析电路测试结果的方法,其中在所述第四步骤之后进一步包括有附加步骤:
第五步骤,对分析的目标区进行区域划分,并针对每个被划分的部分准备有缺陷电路组的每个频率分布,以便相对于每一类缺陷数据统计地检验每个分布偏移;和
第六步骤,从所述的划分部分中新选用包括任何缺陷电路的每个部分作为新的分析目标区,并对区域划分的所述新目标区进行分析,和针对每个新划分的部分准备所述缺陷电路组的每个频率分布以便统计地检验每个分布偏移。
6.根据权利要求5所述的分析电路测试结果的方法,其中所述方法在所述第六步骤后进一步包括:
第七步骤,检验偏移落入一特定范围的所述部分组的频率分布并收集每个具有相同分布周期的所述部分组;和
第八步骤,读取比在所述第七步骤中收集的部分大的部分的所述偏移数据,检验分布偏移数据落入一特定范围的所述部分组的分布状态,并收集具有相同分布周期的所述部分组。
7.一种存储用于分析具有一个初级电路和一个次级电路组的电路的测试结果的测试结果分析程序的记录介质,次级电路组包括在所述初级电路的影响下适于发生功能缺陷的多个次级电路,所述记录介质存储执行下列步骤的程序:
第一步骤,在一台计算机保持有关分别配置在一个衬底上的所述初级电路和所述次级电路组的位置信息以及所述初级电路和所述次级电路组之间的互连信息作为所述初级电路和所述次级电路组之间组合形式的信息;
第二步骤,当所有所述次级电路起同样功能缺陷时判断是所述初级电路造成缺陷,当所述次级电路组的一个特定次级电路比任何其它次级电路有更多功能缺陷时则判断该特定次级电路造成缺陷;和
第三步骤,根据所述第二步骤的判断在一类属于造成所述缺陷的电路的缺陷数据和另一类属于不造成缺陷的电路的缺陷数据之间区分缺陷数据。
8.根据权利要求7所述的记录介质,其中所述记录介质存储所述程序用于执行进一步的第四程序:
根据所述数据库装置中保存的每一类缺陷数据和所述位置信息得出有缺陷电路对应于所述衬底的频率分布。
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