[发明专利]在关状态无漏电流的半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 98102023.2 | 申请日: | 1998-05-28 |
公开(公告)号: | CN1201258A | 公开(公告)日: | 1998-12-09 |
发明(设计)人: | 樋口实 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L21/76;H01L21/31;H01L21/322 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 状态 漏电 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
半导体元件区;
用于隔离所说半导体元件区的元件隔离区;及
置于所说半导体元件区与所说元件隔离区之间的边界的含氮氧化硅膜。
2.如权利要求1的半导体器件,其特征为:所说半导体元件区与所说元件隔离区置于半导体衬底上,所说半导体衬底是硅衬底。
3.如权利要求1的半导体器件,其特征为:所说元件隔离区主要由氧化硅组成。
4.如权利要求1的半导体器件,其特征为:在所说含氮氧化硅膜中氮的浓度按氮与氧的比算不大于五分之一。
5.如权利要求1的半导体器件,其特征为:所说半导体元件包括金属氧化物半导体场效应晶体管。
6.一种制备权利要求2的半导体器件的方法,包括步骤:
形成所说半导体元件区;
形成所说元件隔离区;
在所说半导体元件区与所说元件隔离区之间的边界形成所说含氮氧化硅膜;
所说形成元件隔离区的步骤还包括:
腐蚀所说述半导体衬底以形成沟槽;及
用绝缘膜掩埋所说沟槽。
7.一种制备半导体器件的方法,包括步骤:
在半导体衬底上形成半导体元件区;
在所说半导体衬底上形成元件隔离区以隔离所说半导体元件区;
在所说半导体元件区与所说元件隔离区之间的边界形成含氮氧化硅膜;
在形成半导体元件区的所说半导体衬底的部分表面上形成掩模材料;
使用所说掩模材料腐蚀所说说半导体衬底以形成限定所说元件隔离区的沟槽;
在所说沟槽中形成所说含氮氧化硅膜;
用绝缘膜掩埋所说沟槽。
8.如权利要求7的方法,其特征为:形成含氮氧化硅膜的步骤为在含氮化物气氛中的加热步骤。
9.如权利要求8的方法,其特征为:所说氮化物是N2O。
10.如权利要求8的方法,其特征为:所说氮化物是HH3。
11.如权利要求8的方法,其特征为:所说氮化物是NO。
12.如权利要求8的方法,其特征为:在含氮化物气氛中加热步骤在700℃到1200℃间的加热温度下进行,包括这两个温度。
13.如权利要求8的方法,其特征为:在所说形成含氮氧化硅膜的步骤,所说含氮氧化硅膜形成为3nm到15nm厚,包括这两个厚度。
14.如权利要求7的方法,其特征为:所说形成含氮氧化硅膜的步骤还包括步骤:
形成氧化硅膜;及
然后在包括氮化物的气氛中加热。
15.如权利要求14的方法,其特征为:所说氮化物是N2O。
16.如权利要求14的方法,其特征为:所说氮化物是HH3。
17.如权利要求14的方法,其特征为:所说氮化物是NO。
18.如权利要求14的方法,其特征为:所说在含氮化物气氛中加热的步骤在400℃到1200℃间的加热温度下进行,包括这两个温度。
19.如权利要求14的方法,其特征为:在所说形成含氮氧化硅膜的步骤,所说含氮氧化硅膜可以形成为3nm到15nm厚,包括这两个厚度。
20.如权利要求7的方法,其特征为:所说形成含氮氧化硅膜的步骤还包括步骤:
形成氧化硅膜;及
然后向所说氧化硅膜中注入氮离子。
21.如权利要求20的方法,其特征为:在所说形成含氮氧化硅膜的步骤,所说含氮氧化硅膜形成为3nm到15nm厚,包括这两个厚度。
22.如权利要求7的方法,其特征为:所说形成含氮氧化硅膜的步骤还包括步骤:
形成氧化硅膜;
然后向所说氧化硅膜中注入氮化物离子。
23.如权利要求22的方法,其特征为:在所说形成含氮氧化硅膜的步骤,所说含氮氧化硅膜形成为3nm到15nm厚,包括这两个厚度。
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