[发明专利]制做薄膜致动反射镜阵列的方法

说明书

本发明涉及一种用于光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列；且更具体地，涉及一种用于制做薄膜致动反射镜阵列的方法，其减小了制做中包含的高温处理的影响。

在现有技术的各种视频显示系统中，已知一种光学投影系统能够提供大幅的高质量显示。在这样一光学投影系统中，来自一灯的光线被均匀地照射在例如一M×N致动反射镜阵列上，其中各反射镜与各致动器相连接。这些致动器可由响应施加于其的电场而变形的电致位移材料制成。例如为压电材料或电致伸缩材料。

来自各反射镜的反射光束入射在例如一光阑的小孔上。通过对各致动器施加一电信号，各反射镜与入射光束的相对位置被改变，从而导致来自各反射镜的反射光束的光路发生偏转。当各反射光束的光路发生变化时，自各反射镜反射的通过该小孔的光量被改变，从而调制光束的强度，通过该小孔被调制的光束经一适当的光学装置例如一投影透镜被传送到一投影屏幕上，从而在其上显示一图象。

在图1A至1I中，示出了一共有未决的申请，国际申请号PCT/KE96/00142，题为“用于光学投影系统中的薄膜致动反射镜阵列”中公开的，制做M×N薄膜致动反射镜201的阵列200中包含的制做步骤，其中M和N是整数。

该制做阵列200的处理开始于制备一有源矩阵110，其包括一带有M×N开关装置，例如金属氧化物半导体(MOS)晶体管115的阵列的基底112和形成在其顶上的一场氧化物层116。各MOS晶体管115具有一源/漏极区117，一门氧化物层118和一门极119。

在接下来的步骤中，通过使用例如CVD或旋转涂覆法在有源矩阵110的顶上沉积由例如PSG或氮化硅制成的具有0.1-2μm厚度的第一钝化层120。

然后，通过使用例如溅射或CVD法在第一钝化层120的顶上沉积由氮化物制成的具有0.1-2μm厚度的一蚀刻剂阻止层130，如图1A所示。

然后，在该蚀刻剂阻止层130的顶上形成一薄膜待除层140。如果该薄膜待除层140由金属制成，通过使用溅射或蒸镀法形成该薄膜待除层140，如果该薄膜待除层140由PSG制成，使用CVD或旋转涂覆法，或如果该薄膜待除层140由硅聚合物(poly-Si)制成，使用CVD法。

接着，通过使用干或湿蚀刻法，以这样的方式在该薄膜待除层140上生成一M×N空腔阵列(未示出)以使各空腔围绕各MOS晶体管115中的源/漏极区117。

在下一步骤中，通过使用CVD法在包括这些空腔的该薄膜待除层140的顶上沉积由例如氮化硅的绝缘材料制成的具有0.1-2μm厚度的一弹性层150。

然后，通过使用溅射或真空蒸镀法在该弹性层150的顶上形成由例如Pt/Ta的导电材料制成的具有0.1-2μm厚度的第二薄膜层160。然后通过使用一蚀刻法沿列方向等切割该第二薄膜层160，如图1B所示。

然后，通过使用蒸镀、Sol-Gel、溅射或CVD法在该第二薄膜层160的顶上沉积由例如PZT的压电材料或例如PMN的电致伸缩材料制成的具有0.1-2μm厚度的一薄膜电致位移层(未示出)。

接着，通过使用光刻法或激光修剪法将该薄膜电致位移层构型成M×N薄膜电致位移部件175的一阵列，如图1C所示。

在接着的步骤中，通过使用蚀刻法将第二薄膜层160和该弹性层150分别构型成M×N第二薄膜电极165的一阵列和M×N弹性部件155的一阵列，如图1D所示。

在接着的步骤中，通过使用一蚀刻法去除形成在各MOS晶体管115中的源/漏极区117的顶上的蚀刻剂阻止层130和第一钝化层120的部分，同时留下它们围绕各MOS晶体管115中的门极119和门氧化层118的未触动的部分125，如图1E所示。

接着，通过以下步骤形成M×N第一薄膜电极185的一阵列和接触部件183的一阵列：首先使用溅射或真空蒸镀法形成由导电材料制成的，完全覆盖上述机构的一层(未示出)；接着使用蚀刻法选择地去除该层，如图1F所示。各第一薄膜电极185被定位在该薄膜电致位移部件175的顶上。各接触部件183被这样定位以使它将第二薄膜电极165与各MOS晶体管115中的源/漏极区117电连接。

在以下步骤中，通过使用CVD或旋转涂覆法沉积由例如PSG或氮化硅制成的具有0.1-2μm厚度的第二钝化层187，且然后通过使用蚀刻法这样将其构型以使它完全覆盖这些接触部件183，从而形成M×N致动反射镜机构211的一阵列210，如图1G所示。

然后用第一薄膜保护层(未示出)完全覆盖各致动反射镜机构211。