[发明专利]制做薄膜致动反射镜阵列的方法无效

专利信息
申请号: 97182217.4 申请日: 1997-05-27
公开(公告)号: CN1254479A 公开(公告)日: 2000-05-24
发明(设计)人: 闵庸基 申请(专利权)人: 大宇电子株式会社
主分类号: H04N9/31 分类号: H04N9/31;G02B26/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制做 薄膜 反射 阵列 方法
【权利要求书】:

1、一种制做用于光学投影系统中的薄膜致动反射镜阵列的方法,该方法包括有步骤:

设置一基底;

在该基底的顶上沉积一薄膜待除层;

在该薄膜待除层上生成M×N空腔的一阵列;

在该薄膜待除层包括这些空腔的顶上沉积一弹性层;

将该弹性层构型成M×N弹性部件的一阵列;

在该基底上形成M×N开关装置的一阵列;

在各弹性部件和开关装置的顶上沉积一钝化层和一蚀刻剂阻止层;

选择地去除该蚀刻剂阻止层和该钝化层以使这些弹性部件被暴露出;

在各弹性部件的顶上形成M×N第二薄膜电极的一阵列和M×N薄膜电致位移部件的一阵列;

形成M×N第一薄膜电极的一阵列和接触部件的一阵列;

去除该薄膜待除层,从而形成M×N致动机构的一阵列;

用一待除材料覆盖该M×N致动机构的阵列;

在该待除材料的顶上沉积一反射镜层;

将该反射镜层构型成M×N反射镜的一阵列;及

去除该待除材料,从而形成该M×N薄膜致动反射镜阵列。

2、根据权利要求1的方法,其中该基底由绝缘材料制成。

3、根据权利要求2的方法,其中该基底是一硅片。

4、根据权利要求1的方法,其中各开关装置是一金属氧化物半导体(MOS)晶体管。

5、根据权利要求1的方法,其中各开关装置被定位在同一行或列中的两相继的弹性部件之间。

6、根据权利要求1的方法,还包括有步骤:在沉积该反射镜层后在各反射镜的顶上形成一薄膜介电部件。

7、一种用于制做用于光学投影系统中的M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其中该M×N薄膜致动反射镜阵列包括具有一基底和形成在该基底上的M×N开关装置的一阵列的一有源矩阵,包括至少两电极的形成在该基底上的M×N薄膜致动机构的一阵列,沉积在该两电极和一弹性部件之间的一电致位移部件,和一用于反射入射在其上的光束的反射镜,该方法初始地包含一系列顺序的高温薄膜处理,低温薄膜处理和构型处理,该方法还特征在于:

在形成这些致动机构中包含的全部高温处理被完成后,在该基底上形成所述的开关装置的阵列。

8、根据权利要求7的方法,其中这些高温薄膜处理包含一最低温度800℃。

9、根据权利要求7的方法,其中高温薄膜处理和构型处理一起被用于形成该弹性部件。

10、根据权利要求7的方法,其中该弹性部件由氮化物制成。

11、根据权利要求10的方法,其中通过使用CVD法形成该弹性部件。

12、根据权利要求7的方法,其中该低温薄膜处理和构型处理被用于形成这些电极和该电致位移部件。

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