[发明专利]去除黑头的片状面膜剂及其制造方法无效

专利信息
申请号: 97120680.5 申请日: 1997-09-02
公开(公告)号: CN1183956A 公开(公告)日: 1998-06-10
发明(设计)人: 星优;铃木荣次;冈部秀晃 申请(专利权)人: 林特克株式会社
主分类号: A61K7/48 分类号: A61K7/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 去除 黑头 片状 面膜 及其 制造 方法
【说明书】:

发明涉及去除毛孔中形成的黑头(blackhead)的片状面膜剂(facepack sheet)。本发明还涉及去除黑头的片状面膜剂的制造方法。

在人皮肤的毛孔中,因油分等分泌物和灰尘、尘埃等形成黑头,而这些黑头不利于皮肤的健康和美容。作为预防或去除此种黑头的方法,过去使用各种洗面剂洗面,或者可利用装入软管中的液状面膜剂。

洗面在短时间内进行,虽然有预防黑头形成的效果,但要将毛孔中形成的黑头去除几乎是不可能的。

另一方面,过去的面膜剂的用法,是将液状的水溶性面膜剂涂布在皮肤上,将干燥后形成的被膜从皮肤上剥离,利用被膜的粘着力进行黑头的去除,但是去除黑头的性能不充分。

而且,在使用这种涂布型面膜剂时,使用者要对自己的皮肤以均匀的厚度涂布是困难的,因此在干燥状态下产生部分的差别,使在剥离面膜剂被膜时,干燥不充分部分的面膜剂残留在皮肤上。另外,被膜薄的部分在剥离时易破,破断的碎片残留在皮肤上,因此要将被膜全体除去相当费事。

为消除这样的缺点,就必须加厚涂布面膜剂,并进行更长时间的干燥,但这样做欠简便,缺乏实用性,同时面膜剂的消耗量也多,在经济上也是不利的。

本发明的目的在于,提供一种操作性优良,能够在短时间内有效除去黑头的片状面膜剂及其制造方法。

为达到上述目的,本发明涉及一种去除黑头的片状面膜剂,其特征在于,它是将具有透气性和挠性的基材层,和以乙酸乙烯酯与N-乙烯基-2-吡咯烷酮的共聚物作为主成分的面膜剂层层叠而构成。

按照上述的本发明,提供了具有优良的去除黑头的性能、而且能在短时间内简便有效地进行黑头的去除、并且在剥离时不会发生面膜剂在皮肤上残存的去除黑头的片状面膜剂。由此,以简单的操作,就可清洁毛孔,使皮肤保持良好的状态。

在本发明中,优选的是使上述共聚物的平均分子量为1万~50万。

另外,优选的是使上述共聚物中的乙酸乙烯酯和N-乙烯基-2-吡咯烷酮的共聚比为5∶95~95∶5。

而且,优选的是使上述面膜剂层中的上述共聚物的含量为20~90%(重量)。

此时,在上述面膜剂层中,含乙酸乙烯酯的均聚物和/或N-乙烯基-2-吡咯烷酮的均聚物为佳。

而且,在本发明中,上述基材层由多孔质材料构成为佳。

此时,在上述基材层的一部分中含浸或埋入上述面膜剂层的构成物质为佳。另外,在上述基材层与上述面膜剂层粘合侧的面上施加亲水化处理为佳。

而且,在本发明中,上述面膜剂层采用涂布法或转印法形成为佳。

另外,在上述面膜剂层中,也可含对上述共聚物具有增塑作用的增塑剂,而且在上述面膜剂层中,也可含有填充材料。

在本发明中,上述面膜剂层中含有由低级醇和/或水构成的溶剂为佳。

本发明的另一主题,是去除黑头的片状面膜剂的制造方法,其特征在于,在具有透气性和挠性的基材层的一面上,涂布以乙酸乙烯酯和N-乙烯基-2-吡咯烷酮的共聚物作为主成分的面膜剂,形成面膜剂层。

此时,在上述面膜剂中,含有乙酸乙烯酯的均聚物和/或N-乙烯基-2-吡咯烷酮的均聚物为佳。

本发明的再一个主题,是去除黑头的片状面膜剂的制造方法,其特征在于,在具有透气性和挠性的基材层的一面上,用转印法粘合以乙酸乙烯酯和N-乙烯基-2-吡咯烷酮的共聚物作为主要成分的面膜剂构成的面膜剂层。

此时,在上述面膜剂中,含有乙酸乙烯酯的均聚物和/或N-乙烯基-2-吡咯烷酮的均聚物为佳。

另外,本发明还包括去除黑头的片状面膜剂的制造方法,它是在具有透气性和挠性的基材层上,粘合以乙酸乙烯酯和N-乙烯基-2-吡咯烷酮的共聚物作为主成分的面膜剂构成的面膜剂层,其特征在于,包括以下各步骤:

在转印体上形成上述面膜剂层的步骤,

在上述面膜剂层和/或上述基材层中加水的步骤,以及

将上述面膜剂层转印粘合到上述基材层的一面上,对这两层进行加压的步骤。

进而,本发明还包括去除黑头的片状面膜剂的制造方法,它是在由具有透气性和挠性的多孔质材料构成的基材层上,粘合以乙酸乙烯酯和N-乙烯基-2-吡咯烷酮的共聚物作为主成分的面膜剂构成的面膜剂层,其特征在于,包括以下各步骤:

在转印体上形成上述面膜剂层的步骤,

在上述面膜剂层和/或上述基材层中加水的步骤,以及

将上述面膜剂层转印粘合到上述基材层的一面上,通过对这两层进行加压,使上述面膜剂层的构成物质含浸或埋入上述基材层的一部分中的步骤。

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