[发明专利]输入/输出电压检测型衬底电压发生电路无效
申请号: | 97119055.0 | 申请日: | 1997-10-17 |
公开(公告)号: | CN1100388C | 公开(公告)日: | 2003-01-29 |
发明(设计)人: | 许英道 | 申请(专利权)人: | LG半导体株式会社 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆弋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 输出 电压 检测 衬底 发生 电路 | ||
1.一种数据输入/输出检测型衬底电压发生电路,它包括:
用于检测衬底电压的衬底电压传感器;
用于检测数据输入/输出端电压的数据输入/输出电压检测单元;
一按照行址选通(RASB)信号和衬底电压传感器的输出信号受到驱动的可变周期型振荡器,用来根据数据输入/输出电压检测单元的输出信号来改变驱动信号的周期;以及
一电荷泵,用来根据如此受控的驱动信号的周期将电荷泵给衬底,
其特征在于,所述可变周期型振荡器包括:
与非门,其接收RASB信号和衬底电压传感器的输出信号;
第一和第二传输门,其能够根据数据输入/输出电压检测单元的输出信号进行工作;
第四CMOS反相器,其接收第一和第二传输门的输出;
第五CMOS反相器,其根据与非门的输出信号来接收第四CMOS反相器的输出;
第六CMOS反相器,其根据与非门的输出信号来接收第五CMOS反相器的输出;
第七CMOS反相器,其接收第六CMOS反相器的输出;以及
第八CMOS反相器,其接收第七CMOS反相器的输出,从而第一和第二传输门接收第六和第八CMOS反相器的输出,而且第六CMOS反相器的输出成为驱动信号。
2.如权利要求1所述的电路,其中,当数据输入/输出电压检测单元的输出信号为低电平时,所述驱动信号通过一五列结构的确定周期通道被输出,其中,第四到第八CMOS反相器串联在该通道中;当数据输入/输出电压检测单元的输出信号为高电平时,所述驱动信号由一三列结构的确定周期通道中输出,其中,第四到第六CMOS反相器串联在该通道中。
3.如权利要求1所述的电路,其中所述的数据输入/输出电压检测单元的输出信号是从一组器件输出的,这组器件包括:PMOS晶体管,其源极与接地电压连接,其栅极与数据输入/输出电压连接,其漏极与衬底连接;第一CMOS反相器,用来接收PMOS晶体管的漏极电位;第二CMOS反相器,用来接收第一CMOS反相器的输出;以及第三CMOS反相器,用来接收第二CMOS反相器的输出。
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