[发明专利]ROM电路无效

专利信息
申请号: 97114061.8 申请日: 1997-07-03
公开(公告)号: CN1173716A 公开(公告)日: 1998-02-18
发明(设计)人: 木久保秀 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: G11C17/00 分类号: G11C17/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王忠忠,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: rom 电路
【权利要求书】:

1.一种ROM电路,存储具有固定长的多个数据,当地址数据被输入时,以上述数据中的上述地址数据所对应的1个数据被读出的方式,藉由上述地址数据,将被选择的多个存储单元内所存储上述数据的构成要素数据予以输出;其特征在于:

构成上述数据的各部分的构成要素数据,被存储于配列成单1行的存储单元,将上述地址数据,分割成高位地址数据及低位地址数据,藉由高位地址数据指定单一行,藉由低位地址数据,连续地指定单一行内的构成要素数据。

2.根据权利要求1的ROM电路,其特征在于当晶片激活信号迁移到非激活状态时,保持上述高位地址数据,藉由该高位地址数据,继续指定同一固定长数据。

3.根据权利要求1或2的ROM电路,其特征在于使当下位地址数据为预先设定的规定值时,所选择的存储单元的字线的配线电阻,比其它的存储单元的字线配线电阻小。

4.根据权利要求1或2的ROM电路,其特征在于当低位地址数据为预先所设定的规定值时,所选择的存储单元的通道宽,比其它的存储单元的通道宽大。

5.如权利要求1或2的ROM电路,其特征在于将存储单元阵列分割为,低位地址数据为事先所设定的规定值时所选择的第1存储单元阵列,及上述低位地址数据为预先所设定的规定值以外时所选择的第2存储单元阵列,设定第1及第2存储单元阵列的各特性,以使上述第1存储单元阵列的读出速度比上述第2存储单元阵列的读出速度快。

6.根据权利要求1或2的ROM电路,其特征在于上述高位地址数据与时钟信号一起被被输入,藉由上述高位地址数据,指定上述数据中的1个,依据计算上述时钟信号所获得的计数值,连续地指定构成上述高位地址数据所指定的数据构成要素数据。

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