[发明专利]在半导体器件内制作内连线的方法

权利要求书

1.一种在半导体器件内制作内连线的方法，其特征在于，它包括以下步骤：

在一半导体衬底上，邻接着一第一绝缘层提供一导电层，该导电层与第一绝缘层具有共同平面的上表面；

在导电层与第一绝缘层的上表面上沉积一蚀刻阻挡层，其与第一绝缘层不同；

在蚀刻阻挡层上沉积一第二绝缘层，其与蚀刻阻挡层不同；

蚀刻出一介质层通孔，以暴露出蚀刻阻挡层的一部分，被蚀刻的介质层通孔至少局部地形成在导电层上方；

去除介质层通孔内的蚀刻阻挡层；以及

在介质层通孔内填充一导电材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，导电层为金属材料，且其中导电层与绝缘缘层的共同平面表面利用研除形成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，导电层与绝缘层的共同平面表面是利用绝缘层进行回蚀而形成的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除蚀刻阻挡层的步骤也将绝缘层的一部分暴露出来。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包含在介质层通孔内在金属层上沉积一粘着层的步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，导体材料是利用在介质层通孔之内在电介质层表面上，将导体材料以化学气相沉积法进行沉积，其后再将电介质层表面上的插塞金属去除而形成的。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将介质层表面上的导体材料去除的方法包括化学机械研磨法。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将介质层表面上的导体材料去除的方法包括回蚀刻法。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供半导体层的步骤包括：

在一半导体衬底上提供一绝缘层；

在绝缘层上形成下陷的一图形；

在绝缘层上沉积一金属层；

将金属层平坦化，以在绝缘层中形成对应于下陷的图形的第一层金属连接线的图形；使该绝缘层构成第一绝缘层，该金属层构成该导电层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，去除介质层通孔内的蚀刻阻挡层的步骤也将绝缘层的一部分暴露出来。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包含在介质层通孔内在金属连线上沉积一粘着层的步骤。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在介质层通孔内填充导电材料的步骤是利用在介质层通孔之内在电介质层表面上，将导电材料以化学气相沉积法而形成，其后再将电介质表面上的导电材料去除而形成的。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包括形成与电介质层以及导电材料接触的一第二层连接线的步骤，其中导电材料将第二层连接线连接至第一层连接线。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成下陷图形的步骤还包含在绝缘层上形成一掩模，以及局部地蚀刻穿过绝缘层的步骤。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，平坦化的步骤包含对金属层进行化学机械研磨的步骤。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，绝缘层为氧化硅，且蚀刻阻挡层为氮化硅。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，电介质层包含有氧化硅。

18.如权利要求14所述的方法，其特征在于，导电材料是利用首先在介质层通孔内在第一层连接线上沉积一粘着层而形成的。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，该方法还包括利用化学气相沉积法至少在介质层通孔内沉积钨的步骤。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，该方法还包括形成与电介质层以及金属插塞接触的一第二层连接线的步骤，其中金属插塞是将第二层连接线连接至第一层连接线。