[发明专利]一种提高离子源束流强度的方法无效
| 申请号： | 96111562.9 | 申请日： | 1996-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1099221C | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘占稳;张汶;张雪珍;郭晓虹;周嗣信;魏宝文;赵红卫;袁平;吴德忠;王书昌;王云海;王义芳;叶峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 离子源 强度 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种提高离子源束流强度的方法，其特征是将离子源的等离子体电极(15)再往等离子体腔(12)体内伸入，使等离子体电极(15)的端面至靠离子源引出端的等离子体腔(12)端面的距离为50-55毫米；另在等离子体腔(12)内壁设有内壁镀金属材料的薄锆筒(13)。
2、如权利要求1所述的一种提高离子源束流强度的方法，其特征是离子源(18)的等离子体电极(15)可为铝材。
3、如权利要求1所述的一种提高离子源束流强度的方法，其特征是薄锆筒(13)的内壁可镀铝。
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