[发明专利]磁记录媒体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 95197758.X 申请日: 1995-03-08
公开(公告)号: CN1178026A 公开(公告)日: 1998-04-01
发明(设计)人: 高桥研 申请(专利权)人: 高桥研
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/84;G11B5/85
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 甘玲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 记录 媒体 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种磁记录媒体,它是在其基体表面上通过至少由Cr形成的金属衬层,设置由Co合金构成的强磁性金属层,而且上述金属衬层或/和上述强磁性金属层的氧浓度在100ppm(重量)以下,利用磁通反转的磁记录媒体,其特征在于,在上述基体和金属衬层之间设置有α层和β层,该α层至少由镍(Ni)和磷(P)的金属及氧化物构成,上述β层至少具有酯基。

2.根据权利要求1所述的磁记录媒体,其特征在于,该磁记录媒体的层结构是基体/α层/β层/金属衬层/强磁性金属层。

3.一种磁记录媒体,它是在其基体表面上设置至少由Co合金构成的强磁性金属层,而且该强磁性金属层的氧浓度在100ppm(重量)以下的磁记录媒体,其特征在于,在上述基体和上述金属衬层之间设置α层和β层,该α层至少由镍(Ni)和磷(P)的金属及氧化物构成,上述β层至少具有酯基。

4.根据权利要求3所述的磁记录媒体,其特征在于,该磁记录媒体的层结构是基体/α层/β层/强磁性金属层。

5.根据权利要求1~4中任何一项所述的磁记录媒体,其特征在于,上述α层的膜厚度tα和β层的膜厚度tβ之和满足3nm≤(tα+tβ)≤12nm。

6.根据权利要求1~5中任何一项所述的磁记录媒体,其特征在于,上述α层的膜厚度tα和β层的膜厚度tβ之比满足0<(tα/tβ)≤1。

7.根据权利要求1~6中任何一项所述的磁记录媒体,其特征在于,具有酯基的β层是下述的有机分子,该有机分子的熔点高于形成上述金属衬层和强磁性金属层时的基体温度。

8.一种根据权利要求1~7中任何一项所述的磁记录媒体的制造方法,其特征在于,用于形成上述α层、β层、金属衬层及强磁性金属层的成膜室所达到的真空度是10-9乇以下。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,形成上述金属衬层或/和强磁性金属层时的基体温度低于形成上述β层的有机分子的熔点。

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