[发明专利]用于化学湿处理的装置无效
| 申请号: | 95197255.3 | 申请日: | 1995-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN1084048C | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
| 发明(设计)人: | J·德斯特;H·西格尔;W·舒尔茨 | 申请(专利权)人: | 施蒂格微技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 崔幼平,林长安 |
| 地址: | 联邦德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 化学 处理 装置 | ||
1、用于在一盛有处理液(23)的容器(21)中进行衬底(25)的化学湿处理的装置,其包含一用于导入和移出至少一个衬底载体(17)和衬底(25)的提升装置(1),其特征在于提升装置(1)包含一用于衬底提升装置(16)的第一传输架(2)和用于衬底载体支架(17)的第二传输架(3),此二者通过铰接连接(4)相互连接。
2、根据权利要求1所述的装置(20),其特征在于:第一和第二传输架(2,3)可沿竖直导轨(10)移动。
3、根据前面任一权利要求所述的装置(20),其特征在于:第一传输架(2)与驱动装置相连。
4、根据权利要求1所述的装置(20),其特征在于:铰接连接(4)包含两个支架(5,6),其中第一支架(5)与第一传输架(2)相连,而第二支架(6)与第二传输架(3)通过枢轴连接,与传输架(2,3)彼此远离相对的第一和第二支架(5,6)的末端通过枢轴(7)以枢轴的方式连接。
5、根据权利要求4所述的装置(20),其特征在于:连接两支架(5,6)的枢轴的突出部分沿控制曲线(11)运动。
6、根据权利要求5所述的装置(20),其特征在于:控制曲线(11)包含一平行于传输架(2,3)的运动方向延伸的直线部分(12)和与直线部分相连的曲线部分。
7、根据权利要求6所述的装置(20),其特征在于:第一和第二传输架间的距离在枢轴(7)沿直线部分(12)运动时保持恒定。
8、根据权利要求6所述的装置(20),其特征在于:当枢轴(7)沿曲线部分(13)运动时第一和第二传输架(2,3)间的距离会增大。
9、根据权利要求6所述的装置(20),其特征在于:通过选择曲线部分(13)的形状从而使得第一和第二传输架(2,3)间的距离持续地增大。
10、根据权利要求6所述的装置(20),其特征在于:通过选择曲线部分(13)端部的形状从而可使第二传输架(3)缓慢地停下。
11、根据权利要求1所述的装置(20),其特征在于:第一传输架(2)与刀刃形提升装置(16)相连。
12、根据权利要求11所述的装置(20),其特征在于当枢轴(7)沿控制曲线(11)的直线部分(12)运动时刀形提升装置(16)和衬底载体(17)被以同一速度提升。
13、根据权利要求1所述的装置(20),其特征在于:当衬底(25)和在衬底载体(17)外的导轨(39)接合时第二传输架(3)被停止。
14、根据权利要求13所述的装置(20),其特征在于:导轨形成于槽体(21)上的顶盖(22)内。
15、根据权利要求11所述的装置(20),其特征在于:用刀刃形提升装置(16)在第二传输架(3)静止后来提升衬底(25)。
16、根据权利要求1所述的装置(20),其特征在于:装置(20)被设计来作漂洗及/或干燥衬底(25)之用。
17、根据权利要求1所述的装置(20),其特征在于在干:燥过程中衬底及/或衬底载体接受气体,特别是异丙基乙醇和氮气的混合气的处理。
18、根据权利要求1所述的装置(20),其特征在于:提供一附加的可松可紧的锁定装置,其以刚性的方式将第一和第二传输架连接。
19、根据权利要求18所述的装置(20),其特征在于:提供一个柱体,其用来锁定及/或松开锁定装置。
20、根据个权利要求1所述的装置(20),其特征在于:在槽体(40)之上提供一个顶盖(42),且该顶盖(42)包含一滴液防护装置。
21、根据权利要求20所述的装置,其特征在于:滴液防护装置为一滴液片(43)(图11)。
22、根据权利要求21所述的装置,其特征在于:滴液片(43)被设置在顶盖(42)的顶面(图11)。
23、根据权利要求20所述的装置,其特征在于:滴液防护装置(43,61)为一环绕顶盖(42)而设置的套环(61)(图12)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





