[发明专利]动态随机存取存储器

权利要求书

1.其中具有一读出门电路结构的晶体管被连接在一位线和一数据总线之间的一种半导体存储装置包括一读晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管和数据总线之间，并在一读操作时刻和该写操作时刻，由一读请求信号使其导通；其特征在于，它还包括：

一控制晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管的源极或漏极和地之间，并在数据的写操作时刻被关断；和

一写晶体管，它被设置在该具有读出门电路结构的前面一级处，并由一写请求信号导通，和在位线和读晶体管之间完成开关动作。

2.其中具有一读出门电路结构的晶体管被连接在一位线和一数据总线之间的一种半导体存储装置包括一读晶体管，它被设置在具有读出门电路结构的晶体管和数据总线之间，并在一读操作时刻和该写操作时刻，由一读请求信号使其导通；其特征在于，它还包括：

控制晶体管，它被设置在两晶体管的中点和地之间，并在数据的写操作时刻被关断，所说两晶体管的读出栅串联连接在位线和反相位线之间；和

写晶体管，它被设置在如上所述的读出门电路结构的晶体管的前面一级，并由一写请求信号使其导通，并在位线和连接到数据总线之间、以及在反相位线和连接到反相数据总线之间完成开关功作。