[发明专利]变容二极管的制作方法

权利要求书

1.一种制造带有MOS、双极和变容管器件的半导体结构的方法，其特征在于包括下列步骤：

提供一个带有MOS、双极和变容管有源区的隔离结构，每一有源区包括一个掺杂的阱；

在双极有源区形成一个第一掺杂区，在变容管有源区形成一个第二掺杂区；

在MOS、双极和变容管有源区上方形成一第一半导体层；

在双极有源区掺杂阱中形成一个有源基区；

在双极和变容管有源区上方的那部分第一半导体层上形成介电层；

在介电层中形成一个窗口，窗口延伸到第一半导体层；

在MOS、双极和变容管有源区上方形成一第二半导体层；

在MOS有源区中形成一个栅电极，在双极有源区中形成发射极和收集极电极，以及在变容管有源区上形成一个第一变容管电极，其中的栅极、发射极、收集极和第一变容管的电极由第一和第二半导体层形成，而发射极电极延伸到窗口之中；

对发射极、收集极和第一变容管电极进行掺杂；

在MOS有源区中形成自对准区和漏区，并在变容管有源区中形成自对准变容管掺杂区；

在变容管有源器件区上形成一个第二变容管电极；以及

从发射极电极通过窗口将一个发射极区扩散到双极有源区掺杂阱中。

2.权利要求1所述的制造带有MOS、双极和变容管器件的半导体结构的方法，还包括在栅极、发射极、收集极和第一电极上，以及在源、漏和自对准的变容管掺杂区中形成硅化物的步骤。

3.权利要求1所述的制造带有MOS、双极和变容管器件的半导体结构的方法，其中的双极和变容管有源区包括一个埋层，而双极有源区中的第一掺杂区和变容管有源区中的第二掺杂区延伸到该埋层。