[发明专利]LC元件，半导体装置及LC元件的制作方法

说明书

本发明涉及LC元件，半导体装置及LC元件的制作方法。这种LC元件可以组装入半导体装置等或以独立元件的形式对规定的频段进行衰减。

近年来随着电子技术的进步，电子电路被广泛地应用于各种领域，因而，人们希望这些电子电路能稳定可靠地工作，不受来自外部的影响。

但是，来自外部的噪声将直接地或间接地侵入到电子电路中来。于是，就出现了不少应用了电子电路的各种电子仪器产生误动作的问题。

特别是在很多情况下，作为直流电源，电路大多使用开关式稳压器。因而，由于开关等的瞬变电流，或者由于起因于所用数字集成电路的开关动作所形成的负载变动等原因，常常会在开关式稳压器的电源线上产生具有各种频率成分的大的噪声。而且，这些噪声能通过电源线或者通过辐射的方式传播到同一仪器的其他电路中去，产生引起误动作或降低信噪比（S/N）等坏影响，有时，还会使附近正在使用中的其他电子仪器产生误动作。

为了去除这种噪声，在各种电子电路中通常都应用了各种噪声滤波器。特别是近年来，由于大量使用了各种构成方式的电子仪器，对于噪声的限制也愈来愈严，故人们希望能开发出一种小型且具有高性能的噪声滤波器的LC元件。它可以确实可靠地去除将要产生的噪声。

大家知道，特开平3-2569608号公报所公开的LC噪声滤波器就是这样的一种LC元件。这种噪声滤波器，其L分量和C分量的存在是分布参数式的，和集中参数式的LC噪声滤波器相比，可以在更广的频带上获得良好的衰减特性。

然而，上述LC噪声滤波器是分别先在绝缘膜的一面形成用于制作电容的导体、在另一面上形成用于制作电感的导体之后，再叠合此绝缘膜而制作出来的，因需要叠合绝缘膜的工艺故生产工艺复杂。

此外，当把这种LC噪声滤波器直接配置在集成电路或大规模集成的电路的电源线或信号线上使用时，必须给LC噪声滤波器和IC等之间进行布线，在部件组装时很费工夫。

还有，由于这种LC噪声滤波器是作为独立部件而制成的，要将其做到LSI电路中，即将它配置到IC和LSI等内部布线之间几乎是办不到的。

本发明是鉴于上述各点而产生的，其目的是提供一种LC元件、半导体装置及LC元件的制作方法，这种LC元件可以应用半导体生产技术简单地制作、可以省去后部工序中的部件组装作业，而且，可以制作成IC或LSI的一部分。

为解决上述课题，本发明的LC元件的特征在于具有：

在半导体基片上形成为规定形状的栅极电极;

在上述电极和上述半导体基片之间形成的绝缘层;

形成在上述半导体基片内、与上述栅极电极相对应形成的沟道一端附近的第一扩散区;

形成在上述半导体基片内上述沟道的另一端附近的第二扩散区;

其中，上述栅极电极和上述沟道起电感导体的作用;

上述栅极电极的电感和上述沟道的电感以及它们之间形成的电容均以分布参数方式存在;

至少把上述沟道用作信号传送路径。

在本发明的这种LC元件中，先在半导体基片上形成绝缘层，再在绝缘层上形成指定形状的栅极电极，由栅极电极、绝缘层和半导体基板形成MOS结构。栅极电极的形状为螺旋形、蛇行形、曲线形等等，或者作为高频领域应用的直线形等也行。

这里，栅极电极和与其相应而形成的沟道分别用作电感。而栅极电极和与其相对应而形成的沟道之间夹有一层绝缘层，由此形成了电容。而且，这个电容在整个栅极电极和沟道长度上以分布参数的方式来形成。因此，形成了在宽广的频带内有着良好衰减特性的LC元件。在经由以分布参数方式存在着的电感和电容传送时，能从输入到在上述沟道的一端形成的、输入到第一或第二扩散区的信号中除去处于衰减频段内的噪声等频率成分。

特别是，用本发明所制作的这种LC元件，可以采用在半导体基片上形成第一扩散区和第二扩散区的同时，再在其表面上形成绝缘层和指定形状的栅极电极的办法来制作，故制作非常容易。此外，由于这种LC元件形成在半导体基片上，故也可以作为LC或LSI的一部分来形成，在将其作为IC或LSI的一部分而形成的情况下，可以省掉后部工序中的部件组装作业。

为了解决上述课题，本发明的另外一种LC元件的特征是具有：

在半导体基片上形成为指定形状的栅极电极;

在上述栅极电极和上述半导体基片之间形成的绝缘层;

上述半导体基片内形成在与上述栅极电极相对应而形成的沟道一端附近的扩散区;

其中，上述栅极电极和上述沟道起电感导体的作用;