[发明专利]磁头及其制造方法无效
| 申请号: | 94113426.1 | 申请日: | 1994-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN1069773C | 公开(公告)日: | 2001-08-15 |
| 发明(设计)人: | 山元哲也;大森广之;杉山康成;庄子光治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/127 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杜有文,叶恺东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁头 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种磁头及制造该磁头的方法,例如涉及一种适用于带式录象机或磁盘装置的磁头及制造该磁头的方法。
美国专利4376337,4532620,4738021及4774755公开了与本发明有关的现有技术。
在诸如带式录象机(VTR)等磁记录与再生设备中,为了改进画面质量而首先数字化以后再记录信号的数字记录正在进步,并且记录密度与记录频率正在增加以实现这种数字记录。
当磁记录采用较高的密度与频率时,对于用于记录与再生的磁头要求在高频上具有高输出与低噪声。例如在广泛地用作VTR的磁头并由镀有一层金属磁性薄膜的铁材料及线绕构成的所谓组合隙间金属(compound metal-in-gap)头中,磁头的感应是高的,并且由于感应引起的输出降低而在频区中的输出是低的,因此难于用这种磁头满意地执行数字图象记录,后者要求高频与高密度。
有鉴于此,采用通过薄膜形成工艺制成的所谓薄膜磁头作为能处理高频的磁头已加以研究。
一个薄膜磁头是通过用诸如光刻等薄膜形成法在两块陶瓷基板的每一块上形成一个螺旋线圈然后将两块基板合在一起而制成的。在连接时,螺旋薄膜线圈的端部电连接在一起而形成一个线圈。有必要在螺旋薄膜线圈中除了端部上的上述连接部分(此后称作接触电极)以外的区与基板的结合表面之间保留一个一定的距离,并从而在线圈之间互相保留一个一定的距离而绝缘。
因此,必须进行用离子碾磨或离子蚀刻降低接触电极以外的薄膜线圈区的上表面或者抬高事先形成为低一个预定尺寸的薄膜线圈的接触电极部分这样的烦琐处理步骤。并且,上述连接是没有保证的。
另外,也可以只在一块基板上形成一个薄膜线圈而在另一块基板上形成一条连接在一个接线端上的内部连线,然后电连接薄膜线圈与内部连线;然而,在这一情况下也存在上面提到的相同问题。
本发明是有鉴于上述问题而设计的,本发明的一个目的为提供一种能够容易地形成薄膜线圈并且该线圈的电连接是有保证与高度可靠的磁头。
根据本发明的一种磁头,其特征在于,它包括:
一对配套的基板,搭配在一起,且通过分别配置在各基板上的连接用的各电气互连端子互连起来;
一个薄膜线圈,在其中一个基板上形成,该线圈具有一个绕制成线圈的导线部分,该导线部分的一端有一个内端子,该内端子用作其中一个所述连接用的电气互连端子;和
多个凸出部分,在一个基板的形成有所述内端子的位置,凸出部分的各个斜面与所述线圈所界定的平面相交,所述凸出部分将所述内端子支撑在充分高出所述平面的位置,从而使它与另一个基板在电气上互连,同时使所述线圈和另一个基板保持一定间距;
所述凸出部分支撑所述内端子,使该内端子处在所述被支撑在所述其中一个所述基板上的绕制成线圈的导线部分的上方。
在本发明中,最好用与形成薄膜线圈的表面斜交方向上的多个凸出表面形成间隔为1至10μm及宽度为1至10μm的多个凸出表面。
另外,在本发明中,薄膜线圈上连接部分以外的区上最好是复盖一层绝缘膜。
另外,在本发明中,薄膜线圈连接部分以外的区最好是布置在各基板上形成的一个凹入部分中的。
此外,在本发明中,最好在每一块基板上形成一个薄膜线圈并将这两个薄膜线圈电连接在一起构成一个线圈。
根据本发明所提供的一种磁头的制造方法,其特征在于,它包括以下步骤:
制备一对配套的基板,搭配在一起,且通过分别配置在各基板上的连接用的各电气互连端子互连起来;
制备一个薄膜线圈,在其中一个基板上形成,线圈具有一个绕制成线圈的导线部分,该导线部分一端有一个内端子,该内端子用作其中一个所述连接用的电气互连端子;和
形成多个凸出部分,在一个基板上的形成有所述内端子的位置,凸出部分的各个斜面与所述线圈所界定的平面相交,所述凸出部分将所述内端子支撑在高出所述平面的位置,从而使它与另一个基板在电气上互连,同时使所述线圈和另一个基板保持一定间距;
通过所述凸出部分支撑所述内端子,使该内端子处在所述被支撑在所述其中一个所述基板上的绕制成线圈的导线部分的上方。
图1A与1B示出按照本发明的一个较佳实施例的磁头的构造的剖视图;图1A是线圈图案部分的剖视图,而图1B则为图1A中Ib部分的放大图;
图2为展示完工以前在线圈图案的内侧端部上的一层镀铜层的放大剖视图;
图3为展示完工后在线圈图案的内侧端部上的镀铜层的放大剖视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94113426.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





