[发明专利]磁头及其制造方法无效
| 申请号: | 94113426.1 | 申请日: | 1994-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN1069773C | 公开(公告)日: | 2001-08-15 |
| 发明(设计)人: | 山元哲也;大森广之;杉山康成;庄子光治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/127 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杜有文,叶恺东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁头 及其 制造 方法 | ||
1.一种磁头,其特征在于,它包括:
一对配套的基板,搭配在一起,且电气上通过分别配置在各基板上的连接用的各电气互连端子互连起来;
一个薄膜线圈,在其中一个基板上形成,该线圈具有一个绕制成线圈的导线部分,该导线部分的一端有一个内端子,该内端子用作其中一个所述连接用的电气互连端子;和
多个凸出部分,在一个基板的形成有所述内端子的位置,凸出部分的各个斜面与所述线圈所界定的平面相交,所述凸出部分将所述内端子支撑在高出所述平面的位置,从而使它与另一个基板在电气上互连,同时使所述线圈和另一个基板保持一定间距;
所述凸出部分支撑所述内端子,使该内端子处在所述被支撑在所述其中一个所述基板上的绕制成线圈的导线部分的上方。
2.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,各个凸出部分的总宽度为1微米至10微米,各凸出部分之间的间距为1微米至10微米。
3.如权利要求1或2所述的磁头,其特征在于,薄膜线圈的没有电气互连端子的各部位用绝缘膜覆盖住。
4.如权利要求1或2所述的磁头,其特征在于,除内端子外,薄膜线圈配置在相应基板上形成的一个凹口中。
5.如权利要求1或2所述的磁头,其特征在于,各配套基板上都形成有一个薄膜线圈,且这些薄膜线圈在电气上彼此连接,构成一个线圈。
6.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,各凸出部分的总宽度大于1微米。
7.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,各凸出部分之间的间距大于1微米。
8.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,凸出部分的截面大致呈三角形。
9.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,各凸出部分的斜面与线圈所界定的平面成30度至90度的角度相交。
10.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,各凸出部分的截面大致呈三角形,凸出部分的斜面与线圈所界定的平面成30度至90度的角度相交。
11.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,各所述多个凸出部分的总宽度为1微米至10微米,各所述凸出部分之间的间距为1微米至10微米,各所述凸出部分的斜面与线圈所界定的平面成30度与90度之间的角度相交。
12.如权利要求11所述的磁头,其特征在于,薄膜线圈的没有电气互连端子的部位都用绝缘膜覆盖住。
13.如权利要求11所述的磁头,其特征在于,除内端子外,薄膜线圈配置在相应基板中形成的一个凹口中。
14.如权利要求11所述的磁头,其特征在于,各个配套基板上形成有一个薄膜线圈,这些薄膜线圈彼此电连接,构成一个线圈。
15.如权利要求11所述的磁头,其特征在于,各凸出部分的截面大致呈三角形。
16.如权利要求1所述的磁头,其特征在于,各所述多个凸出部分的部宽度为1微米至10微米,各凸出部分之间的间距为1微米至10微米,且各凸出部分的截面大致呈三角形。
17.如权利要求16所述的磁头,其特征在于,薄膜线圈没有电气互连端子的部位都用绝缘膜覆盖住。
18.如权利要求16所述的磁头,其特征在于,除内端子外,薄膜线圈配置在相应基板中形成的凹口中。
19.如权利要求16所述的磁头,其特征在于,各配套基板上都形成有一个薄膜线圈,这些薄膜线圈彼此在电气上互连,构成一个线圈。
20.如权利要求16所述的磁头,其特征在于,各凸出部分的斜面与线圈所界定的平面成30度与90度之间的角度相交。
21.一种磁头的制造方法,其特征在于,它包括以下步骤:
制备一对配套的基板,搭配在一起,且通过分别配置在各基板上的连接用的各电气互连端子互连起来;
制备一个薄膜线圈,在其中一个基板上形成,线圈具有一个绕制成线圈的导线部分,该导线部分一端有一个内端子,该内端子用作其中一个所述连接用的电气互连端子;和
形成多个凸出部分,在一个基板上的形成有所述内端子的位置,凸出部分的各个斜面与所述线圈所界定的平面相交,所述凸出部分将所述内端子支撑在高出所述平面的位置,从而使它与另一个基板在电气上互连,同时使所述线圈和另一个基板保持一定间距;
通过所述凸出部分支撑所述内端子,使该内端子处在所述被支撑在所述其中一个所述基板上的绕制成线圈的导线部分的上方。
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