[实用新型]断相欠压保护接触器无效

专利信息
申请号: 93215026.8 申请日: 1993-06-02
公开(公告)号: CN2158572Y 公开(公告)日: 1994-03-09
发明(设计)人: 邓国平 申请(专利权)人: 邓国平
主分类号: H01H83/12 分类号: H01H83/12;H02H3/253
代理公司: 宁波市专利事务所 代理人: 刘赛云
地址: 315020 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 断相欠压 保护 接触器
【权利要求书】:

1、一种断相欠压保护接触器,由外壳(1)和底盘(16)组成的腔室内装有连接在底盘(16)上的线圈J骨架和定铁芯(13),连接在动触头支持件(10)上有动铁芯(11)、主动触片(5),主静触片(4)、灭弧罩(3)及接线柱固定在壳体(1)上,其特征在于:

a.外壳(1)上加工3个主电源信号穿线孔(8)和1个控制线穿线孔(12);

b.外壳(1)边上装有由降压、整流、检测隔离电路、运放推动电路、工作电源电路、交流开关控制电路组成的电压取样的断相欠压保护装置电路板(9)。

2、如权利要求1所述的断相欠压保护接触器,其特征在于所述的降压、整流、检测隔离电路由降压电阻R1~R3、桥式整流二极管D1~D6、光电耦合管BG1、电阻R8~R10组成。

3、如权利要求1所述的断相欠压保护接触器,其特征在于所述的运放推动电路由集成块IC1、IC2和三极管BG2组成。

4、如权利要求1所述的断相欠压保护接触器,其特征在于所述的工作电源电路由降压电阻R5、整流二极管D8、滤波电容C2、稳压管D7组成。

5、如权利要求1所述的断相欠压保护接触器,其特征在于所述的交流开关控制电路由二极管D9~D12、可控硅KT及线圈J组成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邓国平,未经邓国平许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/93215026.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top