[发明专利]扁平形阴极射线管的导电膜及其制造方法

说明书

本发明是关于扁平形阴极射线管的导电膜及其制造方法，更详细地说是关于在扁平形阴极射线管上显示拍照物的图像时，可除去残留在荧光面上的电子及二次电子的扁平形阴极射线管的导电膜及其制造方法。

一般，扁平形阴极射线管具有如图1所示的结构，其中由电子枪1产生的电子通过栅极和轭形偏转线圈2的聚焦和加速后，直接照射到荧光面3上。此时，由荧光屏3发出的可见光通过设置在荧光面3和荧光屏4之间的铝膜的反射形成图像。在上述中，由于发射到荧光面3上的一部分电子残留在荧光面面上、以及和荧光面3碰撞进形成了二次电子，这样对下一个图象的形成产生了影响。因此，作为除去残留电子及二次电子的手段，必须在荧光面3和面板（panel）6内面形成的内装石墨之间设置导电层。

作为上述的导电层，可以使用石墨膜、铟氧化物（In₂O₃）薄膜、铟氧化物-氧化锡（ITO）薄膜、氧化锡薄膜、氧化锡-氧化锑薄膜（SnO₂-Sb₂O₃）等。但是，利用石墨膜作为导电层时，在外观上会产生问题，所以一盘使用的氧化物-氧化锡薄膜ITO、氧化锡氧化锑薄膜等。

形成上述导电层膜的已知方法有溅射喷镀法、E-Beam法等，但是由于设备昂贵、所使用的原料（靶材料）也昂贵，所以不适应于在扁平形阴极射线管上使用。

为了解决上述存在的问题，在日本国东京都108港区芝浦3-9-14的芝浦技术研究所内的电子开发部所发行的应用物理第47卷第7号的第618-622页中记载了利用热分解法的喷雾方法，这种方法是将可形成透明导电膜的物质加热到400℃以上后，再向其上喷雾InCl₃/SnCl₄溶液，才可以得以充分的导电特性。若把此种方法应用在扁平形阴极射线管上时，存在着热化及设备制作上的困难以及操作效率低下等的缺点。

因此，为了克服上述的各种缺点而提出了本发明，本发明的目的在于提供导电性良好及操作性能良好，而且价廉的扁平形阴极射线管的导电膜及其制造方法。

为了达到上述的目的，本发明导电膜的特征是将铟的硫化物、氮化物、氯化物溶解在水中后，添加有机氨基硅烷酯。调节pH值为1.5-4。

另一方面，本发明扁平形阴极射线管的导电膜制造方法的特征是将铟的硫化物、氮化物、氯化物溶解在含水的溶液中后，向其中加入有机氨基硅烷酯，并调节pH值为1.5-4，而后将此溶液均匀地涂敷在显像屏面板4上，在50℃下干燥约20分钟，制成导电层。

通常，使用氯化铟，为了形成透明的导电膜，将氯化铟水溶液和醇溶液，一般加热到400-450℃后，喷雾到物体上而得到。

InCl₃()/(400～450℃) In₂O₃

上述中，在喷雾氯化铟后，如果慢慢加热提高温度，则不能得到导电特性。因此，按照此方法，制备透明导电膜时，还需要一个可在高温下进行喷雾的另外的装置。

因此，本发明中，为了能够在常温下涂敷氯化铟后，慢慢提高温度也能得到良好的导电特性，制造了在氯化铟水溶注中添加有机氨基硅烷酯的溶液。上述有机氨基硅烷酯的氨基，作为强碱，与氯化铟进行反应，使之生成铟氧化物微粒，其本身作为表面活性剂，防止了微粒的沉积，在涂敷时，可以形成均匀的铟氧化物膜。

另外，有机氨基硅烷酯在400℃以上时，成为二氧化硅SiO₂，而形成透明膜后，显示出良好的透射率。此时，涂敷特性及导电性、透射率取决于氯化铟的溶液中有机氨基硅烷酯的添加量。上述溶液中，氯化铟的合适浓度为2-30%，有机氨基硅烷酯的添加量，是以将其添加到铟盐溶液后，pH值为1.5-4的范围时为合适。

上述中，若铟盐浓度低于2%以下时，导电特性变坏、若30%以上时，则生成的氧化铟粒子变大，产生沉积，难以得到均一的薄膜。

以下通过实施例说明如上述结果将导电性及透射率良好的导电膜应用在扁平形显像管上。

实施例1

将2g氯化铟充分溶解在90cc的纯水和10cc的甲醇溶液中。向其中缓慢地滴入0.5cc的N-β-γ-氨基-三丙氧基硅烷后，搅拌1小时。利用辊子等将此溶液均匀地涂敷在扁平形阴极射线管的荧光屏面板4上，而后在50℃下干燥20分钟。

这样，形成导电膜后，在荧光屏面板5、面板6，平面玻璃上涂敷后，放在烧结炉内，在450℃下烧结30分钟。