[发明专利]扁平形阴极射线管的导电膜及其制造方法无效

专利信息
申请号: 93104989.X 申请日: 1993-04-24
公开(公告)号: CN1080431A 公开(公告)日: 1994-01-05
发明(设计)人: 张东植;丁秀珉 申请(专利权)人: 三星电管株式会社
主分类号: H01J29/28 分类号: H01J29/28;H01J9/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 吴大建
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 扁平 阴极射线管 导电 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种导电膜,其特征是将铟的硫化物、氮化物、氯化物溶解在水中后,添加有机氨基硅烷酯,使pH值为1.5-4。

2、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是上述的有机氨基硅烷酯的通式为NH2(CH2mSi(OR)3,NH2(CH2mNH(CH2nSi(OR)3(此处,m=1-5,n=1-5,R=H、CH3、C2H5、C3H7、C4H9)。

3、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是上述铟盐的浓度是溶液的2-30%。

4、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是构成上述溶渡的组成的纯水、醇类、酯类、酮类中,混合了30%以上的纯水。

5、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是在上述溶液组成中,添加了阳离子表面活性剂。

6、扁平形阴极射线管的导电膜的制造方法,其特征是将铟的硫化物、氮化物、氯化物溶解在含水的溶液中后,添加有机氨基硅烷酯,将pH值调节到1.5-4的溶液均匀地涂敷在荧光屏面板4上后,在50℃下,干燥约20分钟,形成了导电层。

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