[发明专利]扁平形阴极射线管的导电膜及其制造方法无效
| 申请号: | 93104989.X | 申请日: | 1993-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN1080431A | 公开(公告)日: | 1994-01-05 |
| 发明(设计)人: | 张东植;丁秀珉 | 申请(专利权)人: | 三星电管株式会社 |
| 主分类号: | H01J29/28 | 分类号: | H01J29/28;H01J9/20 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 吴大建 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扁平 阴极射线管 导电 及其 制造 方法 | ||
1、一种导电膜,其特征是将铟的硫化物、氮化物、氯化物溶解在水中后,添加有机氨基硅烷酯,使pH值为1.5-4。
2、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是上述的有机氨基硅烷酯的通式为NH2(CH2)mSi(OR)3,NH2(CH2)mNH(CH2)nSi(OR)3(此处,m=1-5,n=1-5,R=H、CH3、C2H5、C3H7、C4H9)。
3、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是上述铟盐的浓度是溶液的2-30%。
4、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是构成上述溶渡的组成的纯水、醇类、酯类、酮类中,混合了30%以上的纯水。
5、根据权利要求1记载的导电膜,其特征是在上述溶液组成中,添加了阳离子表面活性剂。
6、扁平形阴极射线管的导电膜的制造方法,其特征是将铟的硫化物、氮化物、氯化物溶解在含水的溶液中后,添加有机氨基硅烷酯,将pH值调节到1.5-4的溶液均匀地涂敷在荧光屏面板4上后,在50℃下,干燥约20分钟,形成了导电层。
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