[发明专利]晶须补强氮化硅复合材料制造方法无效
| 申请号： | 91100598.6 | 申请日： | 1991-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1026482C | 公开（公告）日： | 1994-11-09 |
| 发明（设计）人： | 柳光祖;宋慎泰 | 申请（专利权）人： | 冶金工业部钢铁研究总院 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/58 |
| 代理公司： | 冶金专利事务所 | 代理人： | 金向荣,张小娟 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶须补强 氮化 复合材料 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种晶须补强氦化硅复合材料的制造方法，该方法包括：将所需的原料混合之后经1～2小时高温合成，然后在600～700℃保温1～3小时脱碳，再于1700～1900℃下热压0.5～2小时，即可得到致密的Si3N4-SiC(w)复合材料，其特征在于：原料的含量为(wt%)：Si3N450～70，SiO215～25，碳黑10～20，助烧结剂3～8，所述的助烧结剂为Y2O3、Al2O3和La2O3，于1500～1900℃下、1.1～2.5atmN2压力下合成复合原料。
2、根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述的合成复合原料的最佳工艺参数为1600～1650℃、2～2.5atmN2压力。
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