[实用新型]功率MOS器件的栅保护器无效
| 申请号： | 90216873.8 | 申请日： | 1990-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN2073169U | 公开（公告）日： | 1991-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 北京市半导体器件研究所 |
| 主分类号： | H01L29/784 | 分类号： | H01L29/784;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京电子工业专利事务所 | 代理人： | 梁剑锐,李顺德 |
| 地址： | 10220*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 保护 | ||
【权利要求书】：
1、一种功率MOS器件(既包括纯功率MOS器件，也包括功率MOS-双极器件)的栅保护管，其特征在于：
1)、栅保护管制作在功率MOS器件的终端区以内；
2)、栅保护管制作在硅单晶衬底上；
3)、栅保护管的一个极通过铝条直接与功率MOS器件的栅极相连。
2、根据权利要求1所述的栅保护管，其特征在于：采用多个保护管，各保护管间取串联形式。
3、根据权利要求1所述的栅保护管，其特征在于：采用多个保护管，各保护管间取并联形式。
4、根据权利要求1所述的栅保护管，其特征在于：采用多个保护管，各保护管间取混联形式。
5、根据权利要求1所述的栅保护管，其特征在于：采用多个保护管，各保护管之间的取向可以相反。
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