[发明专利]光学记录媒体及其制作方法

说明书

本发明涉及带有记录层的光学记录媒体和制作此光学记录媒体的方法;更具体地涉及一种带有不会发生膜层断裂、具备优异光学增强效果和对记录层有卓越保护功能的保护膜的光学记录媒体，以及，以高的镀膜工效制作带有这种保护膜的光学记录媒体的方法。

在应用诸如激光和其他类似的能量束照射记录层、以完成将信息记录在记录层上、并将已记录的信息重现的光学记录媒体之中，已知有如袖珍型光盘（CD）和CD-ROM这类只重放型的光学记录媒体;可允许一次性写入但不能把写入信息擦掉的一次性写入型光学记录媒体;以及可以随意把信息重新写入的可重写型光学记录媒体。近年来，可重写型光学记录媒体由于它具有可随意重写信息的优点，而特别引入注目。

作为重写型光学记录媒体已开发了一种在垂直于构成记录层的膜表面的方向上具有单轴磁性各向异性的磁光记录媒体，还有一种利用非晶态和晶态之间相变的相变型光学记录媒体。

在磁光记录媒体中，幅射到记录层上的是一激光光束，对应于受幅射部位磁化状态（强度和/或方向）的变化，透射光或反射光的偏振面将产生旋转;于是，应用这种现象（克尔效应和/或法拉弟效应），此种磁光记录媒体可以重现所记录的信息，为了实现信息重现装置的小型化，目前主要采用的是利用克尔效应进行信息重现这类磁光记录媒体，原因是易于检测反射光偏振面的旋转角（克尔旋转角）。

同时，由于克尔旋转角愈大则信息重现时的读出误差愈小，因此各种各样的试验均指向提高克尔旋转角这一目标。

例如日本专利公开NO，56-156943透露，在磁光记录膜和透明基片之间插入一层用来作为增大克尔效应的增强膜这样一种由透明电介质膜形成的保护膜，从而实现了克尔旋转角的显著增大。作为增大克尔效应的增强膜这样一种由透明介质膜形成的保护膜可以由诸如ZrO₂、TiO₂、Bi₂O₃和SiO等氧化物和诸如CdS、Si₃N₄、AlN、SiC和ZnS等非氧化物材料所构成。与氧化物膜相比较，非氧化物的透明介质膜在改进抗氧化和抗腐蚀的保护性能上非常优越，因而用作保护膜较为理想。

然而，虽然含Si₃N₄的透明介质膜作为保护膜来说具备足够的功能，但它也有缺点：即它的折射率是1.8到2.0，低于其他非氧化物（ZnS、CdS、SiC或类似物）材料的介质膜的折射率，于是克尔效应的增强效果较差。

为了克服这些问题，如与美国专利U.S.4680742和4851096相对应的日本专利公开NO，61-22458所透露的，已经开发了一种工艺;把含有以氮化硅Si₃N₄为主要成分，以诸如Ti、Zr、Mo或类似元素为第三成份的透明介质薄膜用作保护膜兼克尔效应的增强膜。

但是，倘若把以Si₃N₄为主要成分并包含有第三种成分元素的透明介质薄膜叠合在基片之上作为保护膜兼克尔效应的增强膜时，则容易产生膜的断裂，从而使记录层的保护性能变坏。

此外，为了把这样一种组成的增强膜沉积在基片上，到现在为止用的方法有：采用Si₃N₄靶和α元素靶的共溅射方法;采用把α元素薄片置于Si₃N₄上构成复合靶的溅射方法;采用Si靶和α元素靶的反应共溅射方法;以及采用把α元素薄片置于Si靶上构成复合靶的反应溅射方法。但是使用Si₃N₄靶时，由于Si₃N₄的电绝缘性很高，而使用Si靶时，由于Si的电阻率也高并且在反应溅射时Si靶表面会形成绝缘性薄膜，因而，不可能使用直流（DC）溅射而必须采用射频（RF）溅射。与RF溅射相比较，DC溅射的膜沉积速率高，膜沉积效率高，因此人们期待能开发出一种采用DC溅射的保护膜的膜沉积技术。

本发明成功地消除了存在于先有技术中的上述缺点。

本发明的目的是提供一种其保护膜具有高抗腐蚀、高增强效应和无断裂的光学记录媒体。

本发明的另一个目的是提供一种采用DC反应溅射、高效地把这样的保护膜生成在基片和/或记录层上制作光学记录媒体的方法。

本发明的上述目的乃是通过在基片上设置有记录层，在记录层的光反射侧和/或光透射侧设有保护膜，且该保护膜至少含有Si、Cr和N的光学记录媒体来达到的。