[发明专利]光学记录媒体及其制作方法无效
| 申请号： | 90102003.6 | 申请日： | 1990-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1046226A | 公开（公告）日： | 1990-10-17 |
| 发明（设计）人： | 山浩二;桥本英彦 | 申请（专利权）人： | 三井石油化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/00 | 分类号： | G03G5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 记录 媒体 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种光学记录媒体，包括：
基片，
沉积在基片上的记录层，
沉积在上述记录层的光反射侧和/或光透射侧的保护膜，以及
至少含有Si、Cr和N的保护膜。
2、按权利要求1的光学记录媒体，其中，保护膜所包含的Si和Cr的原子比可以用Si1-xCrx来表示，x满足0.5≤x≤0.4。
3、按权利要求1至2中任一项的光学记录媒体，其中，记录层乃是由在垂直于构成记录层膜的膜表面的方向上具有单轴磁性各向异性的磁光记录层所构成的。
4、按权利要求1至3中任一项的光学记录媒体，其中，记录层是由反射率和/或透射率等光学性质可变的记录材料组成的薄膜所构成的。
5、一种在基片上制作具有记录层和保护膜的光学记录媒体的方法，包括以下步骤：
制备由Si以及从金属元素、半金属元素和半导体元素中选出的电阻率小于Si的元素所组成的金属靶构成的阴极，以及
在至少含有惰性气体和氮气的混合气体气氛之中，进行DC磁控溅射，以实现上述保护膜的沉积。
6、按权利要求5的光学记录媒体的制作方法，其中，上述保护膜沉积在上述记录层的光反射侧和/或光透射侧。
7、按权利要求5的光学记录媒体的制作方法，其中，电阻率低于Si的元素为Cr。
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