[发明专利]聚氢化氯硅氮烷的制备方法无效
申请号: | 89108980.2 | 申请日: | 1989-12-02 |
公开(公告)号: | CN1031275C | 公开(公告)日: | 1996-03-13 |
发明(设计)人: | 蒂洛·韦赫斯;托马斯·格多;汉斯-杰格·克莱纳;马塞勒斯·波科特;马丁·布鲁克 | 申请(专利权)人: | 赫彻斯特股份公司 |
主分类号: | C08G77/62 | 分类号: | C08G77/62;C04B35/58 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张元忠 |
地址: | 联邦德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氢化 氯硅氮烷 制备 方法 | ||
本发明涉及新的聚氢化氯硅氮烷、它的制备及其再加工成含氮化硅的陶瓷材料,以及涉及这种材料本身。
使聚硅氮烷热解成含氮化硅的陶瓷材料已有文献记述(见R、R、Wills et al,Ceramic Bulletin,Vol、62(1983),904-915)。
制备聚硅氮烷通常以氯硅烷为原料,并使其与氨、伯胺或仲胺进行反应(见US-PS4540803,US-PS4543344US-PS4595775,US-PS4397828,US-PS4482669)。根据US-PS4482669使分子式RSiHCl2的一种二氯代氢化有机基硅烷与NH。反应转化成低聚氢化有机基硅氮烷(RSiHNH)n,然后,例如借助KH放出氢气缩合成聚硅氮烷。
本发明为聚氢化硅氮烷提供了新的原料,即聚氢化氯硅氮烷。
由已发表的欧洲专利申请号0266918已知:使分子式(CH3,SiHNH)n所示的低聚氢化有机基硅氮烷与分子式RSiCl3所示的氯硅烷在一种惰性的、基本无水的介质中反应生成前陶瓷聚合物,并使其直接或用NH3处理后热解成陶瓷材料。
本发明的一个内容是聚氢化氯硅氮烷的制备方法,其特征在于,使通式(R1SiHNH)n所示的低聚氢化有机基硅氮烷(其中,n为约3至约12)与氯硅烷R2SiHCl3、R3SiCl2、Cl2R4Si-CH2CH2-SiR4Cl2,Cl3Si-CH2CH2-SiR5Cl2中至少一种在30℃至300℃下进行反应,其中相互独立地为:
R1=C1-C6烷基或C2-C6链烯基;
R2=C2-C6链烯基,如果R2SiHCl2独自与低聚硅氮烷反应,
则R2=C1-C6烷基或C2-C6链烯基,如果R2SiHCl2在具有其它氯硅烷的混合物中与低聚硅氮烷反应;
则R3,R4,R5=C1-C6烷基或C2-C6链烯基,这里R3SiCl3只在具有其它(含R2,R4或R5的)氯硅烷中的至少一种氯硅烷的混合中使用。较好的是,与氯硅烷R2SiHCl2,Cl2R4Si-CH2CH2-SiR4Cl2,Cl3Si-CH2CH2-SiR3Cl2中的至少一种氯硅烷进行反应,
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