[发明专利]聚氢化氯硅氮烷的制备方法无效
| 申请号： | 89108980.2 | 申请日： | 1989-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1031275C | 公开（公告）日： | 1996-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蒂洛·韦赫斯;托马斯·格多;汉斯-杰格·克莱纳;马塞勒斯·波科特;马丁·布鲁克 | 申请（专利权）人： | 赫彻斯特股份公司 |
| 主分类号： | C08G77/62 | 分类号： | C08G77/62;C04B35/58 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张元忠 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氢化 氯硅氮烷 制备 方法 | ||
1.聚氢化氯硅氮烷的制备方法，其特征在于，使通式(R1SiHNH)n所示的低聚氢化有机硅氮烷(其中，n为3至12)与氯硅烷R2SiHCl2，R3SiHCl2，Cl2R4Si-CH2CH2-SiR4Cl2，Cl3Si-CH2CH2-SiR5Cl2中至少一种在30℃至300℃下进行反应，式中基团分别为
R1R2R3R4R5＝C1-C6烷基或C1-C6链烯基
其中R3SiCl3和R2SiHCl2仅以与至少一种含R4或R5氯硅烷的混合物形式使用。
2.聚氢化氯硅氮烷的制备方法，其特征在于，使二氯氢化有机基硅烷R1HSiCl2与NH3在一种溶剂中反应得到的低聚氢化有机基硅氮烷与氯硅烷R2SiHCl2，R3SiCl3，Cl2R4Si-CH2-CH2-SiR4Cl2，Cl3Si-CH2CH2-SiR5Cl2至少一种在30℃至300℃下反应，式中各基团分别为
R1R2R3R4R5＝C1-C6烷基或C1-C6链烯基
其中R3SiCl3和R2SiHCl2仅以与至少一种含R4或R5氯硅烷的混合物形式使用。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，R1至R5为C1-C3烷基或C2-C3烯烃基。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，R1＝R2＝R4＝R5＝CH3和R3＝CH3或乙烯基。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，氯硅烷与低聚氢化有机基硅氮烷物R1SiHNH单元的克分子比为0.1∶1至1.5∶1。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在混合反应物时，使温度保持在30℃至50℃，并随后加热至100℃至300℃。
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