[发明专利]低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法无效
| 申请号: | 88100350.6 | 申请日: | 1988-02-06 |
| 公开(公告)号: | CN1006941B | 公开(公告)日: | 1990-02-21 |
| 发明(设计)人: | 桂治轮;李龙土;张孝文;高素华;孙红飞;刘玉顺 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;H01B3/12;C04B35/49 |
| 代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 王兵 |
| 地址: | 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低温 烧结 含铅系 压电 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1、一种低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于材料的基本组分为:
其中,A=Cd B′=Mg B″=Nb B″′=Ni B″″=Nb
0.005≤X≤0.08,0≤y≤0.40,0≤z≤0.40
0<u≤0.60, 0<w≤0.80,y+z+u+w=1
0.05≤q1≤1.0wt% 0<q2≤1.0wt%
0<q3≤4.0wt% 0≤q4≤1.0wt%
0≤q5≤1.0wt%
2、按照权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于所说的y为0,z为0。
3、按照权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于所说的z为0。
4、一种制造权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷的制造方法,其特征在于用普通化工原料二氧化锆、二氧化钛、四氧化三铅、二氧化锰、二氧化硅、氧化铋、氧化硼、碳酸镉、碱性碳酸镁、醋酸镍和五氧化二铌;按照权利要求1所述化学式配料,混合磨细后过60~80目筛,经750℃~850℃予烧,保温1~2小时,粉碎后磨细,过200目筛,获得瓷料,将这种瓷料干压成型为圆片,烧成温度范围为840℃~1000℃,保温时间为1~4小时,烧成后的瓷片,被银或烧银电极在120℃硅油中极化,极化时间20分钟,极化电压4KV/mm。
5、一种制造权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷的制造方法,其特征在于用普通化工原料二氧化锆、二氧化钛、四氧化三铅、二氧化锰、二氧化硅、氧化铋、氧化硼、氧化镉、氧化镁、氧化镍和五氧化二铌;按权利要求1所述化学式配料,混合磨细后过60~80目筛,经750℃~850℃予烧,保温1~2小时,粉碎后磨细,过200目筛,获得瓷料,将这种瓷料予压成型为圆片,烧成温度范围为840℃~1000℃,保温时间为1~4小时,烧成后的瓷片,被银或烧银电极在120℃硅油中极化,极化时间20分钟,极化电压4KV/mm。
6、按照权利要求4和5所说的制造方法,其特征在于所说的烧成温度为860℃~900℃。
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