[发明专利]低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造方法无效

专利信息
申请号: 88100350.6 申请日: 1988-02-06
公开(公告)号: CN1006941B 公开(公告)日: 1990-02-21
发明(设计)人: 桂治轮;李龙土;张孝文;高素华;孙红飞;刘玉顺 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187;H01B3/12;C04B35/49
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 王兵
地址: 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 低温 烧结 含铅系 压电 陶瓷 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于材料的基本组分为:

其中,A=Cd  B′=Mg  B″=Nb  B″′=Ni  B″″=Nb

0.005≤X≤0.08,0≤y≤0.40,0≤z≤0.40

0<u≤0.60,    0<w≤0.80,y+z+u+w=1

0.05≤q1≤1.0wt% 0<q2≤1.0wt%

0<q3≤4.0wt% 0≤q4≤1.0wt%

0≤q5≤1.0wt%

2、按照权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于所说的y为0,z为0。

3、按照权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷,其特征在于所说的z为0。

4、一种制造权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷的制造方法,其特征在于用普通化工原料二氧化锆、二氧化钛、四氧化三铅、二氧化锰、二氧化硅、氧化铋、氧化硼、碳酸镉、碱性碳酸镁、醋酸镍和五氧化二铌;按照权利要求1所述化学式配料,混合磨细后过60~80目筛,经750℃~850℃予烧,保温1~2小时,粉碎后磨细,过200目筛,获得瓷料,将这种瓷料干压成型为圆片,烧成温度范围为840℃~1000℃,保温时间为1~4小时,烧成后的瓷片,被银或烧银电极在120℃硅油中极化,极化时间20分钟,极化电压4KV/mm。

5、一种制造权利要求1所说的低温烧结的含铅系压电陶瓷的制造方法,其特征在于用普通化工原料二氧化锆、二氧化钛、四氧化三铅、二氧化锰、二氧化硅、氧化铋、氧化硼、氧化镉、氧化镁、氧化镍和五氧化二铌;按权利要求1所述化学式配料,混合磨细后过60~80目筛,经750℃~850℃予烧,保温1~2小时,粉碎后磨细,过200目筛,获得瓷料,将这种瓷料予压成型为圆片,烧成温度范围为840℃~1000℃,保温时间为1~4小时,烧成后的瓷片,被银或烧银电极在120℃硅油中极化,极化时间20分钟,极化电压4KV/mm。

6、按照权利要求4和5所说的制造方法,其特征在于所说的烧成温度为860℃~900℃。

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