[其他]透明导电膜与导线焊接及膜上金属电极制备无效
| 申请号: | 86108870 | 申请日: | 1986-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN86108870A | 公开(公告)日: | 1988-07-20 |
| 发明(设计)人: | 李谋介 | 申请(专利权)人: | 华中师范大学 |
| 主分类号: | H01R4/02 | 分类号: | H01R4/02;H05K3/18 |
| 代理公司: | 华中师范大学专利事务所 | 代理人: | 孔薇龄,张昌旭 |
| 地址: | 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透明 导电 导线 焊接 金属电极 制备 | ||
1、一种透明导电膜与导线的连接技术,其特征在于用普通焊锡和电烙铁将导线焊接到以玻璃为基底的透明导电膜上。
2、根据权利要求1所述的一种焊区处理工艺,其特征在于对已制备了透明导电膜的焊区,先用金刚砂和HF+NH4F的水溶液进行粗化处理,再用加有锡粒的SnCl2·2H2O+HCl的溶液进行敏化处理,又用PdCl2·2H2O的水溶液进行活化处理,然后用80~85℃的NiCl2+NaH2PO2·H2O+NH4Cl+Na3C6H5O7·2H2O的水溶液淀积Ni过渡层。
3、根据权利要求1所述的一种焊区处理工艺,其特征在于对玻璃基底的拟焊部位先用金刚砂和HF+NH4F的水溶液进行粗化处理,而后淀积SnO2薄膜,再用PdCl2·2H2O的水溶液进行活化处理,然后在80~85℃的NiCl2+NaH2PO2·H2O+NH4Cl+Na3C6H5O7·2H2O的水溶液中淀积Ni过渡层。
4、根据权利要求2、3所述的工艺,其特征在于粗化处理的水溶液成份比例为HF(40)%∶NH4F∶H2O=9ml∶5g∶200ml。
5、根据权利要求2所述的工艺,其特征在于用水溶液进行粗化处理的时间为5~25秒钟。
6、根据权利要求3所述的工艺,其特征在于用水溶液进行粗化处理的时间为1~3分钟。
7、根据权利要求2所述的工艺,其特征在于敏化处理的水溶液成份比例为SnCl2·2H2O∶HCl∶H2O=2g∶8ml∶200ml。
8、根据权利要求2、3所述的工艺,其特征在于活化处理的水溶液成份比例为PdCl2·2H2O∶H2O=0.05~0.15g∶200ml,另外加入适量HCl,使溶液的PH值调整为3~3.5。
9、根据权利要求2、3所述的工艺,其特征在于用滴管或注射器将活化液点涂到已予热至40~50℃的焊接部位,然后用50~80℃的清洁水浸漂数分钟。
10、根据权利要求2、3所述的工艺,其特征在于淀积过渡层的水溶液成份比例为NiCl2∶NaH2PO2·H2O∶NH4Cl∶Na3C6H5O7·2H2O∶H2O=9g∶4g∶10g∶9g∶200ml,另外加入适量NH4OH,使溶液的PH值调整为8~8.5。
11、一种SnO2薄膜的电性能应用技术,其特征在于在SnO2薄膜上制备出可发挥平面电极作用的金属导电带。
12、根据权利要求11,其特征在于用PdCl2·2H2O∶H2O∶HCl=0.05~0.15g∶200ml∶适量(控制PH为3~3.5)溶液涂抹SnO2薄膜表面的拟制电极部位,再用80~85℃的NiCl2∶NaH2PO2·H2O∶NH4Cl∶Na3C6H5O7·2H2O∶H2O∶NH4OH=9g∶4g∶10g∶9g∶200ml∶适量(控制PH值为8~8.5)溶液淀积Ni金属导电带。
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