[其他]双晶优化比为2.2的碳化钨-钴合金的制法无效

专利信息
申请号: 85100348 申请日: 1985-04-01
公开(公告)号: CN85100348A 公开(公告)日: 1986-08-27
发明(设计)人: 谭映国;张达明;周洛三 申请(专利权)人: 中南工业大学
主分类号: C22C29/08 分类号: C22C29/08;C22C1/04
代理公司: 中南工业大学专利事务所 代理人: 李展明
地址: 湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 双晶 优化 2.2 碳化 合金 制法
【权利要求书】:

1、一种生产“双重晶粒结构”的WC-Co低钴凿岩合金的工艺,本发明的特征是以两种不同粒度范围的WC粉为原料,按两次进料湿磨混合、经真空烧结制取WC晶粒平均尺寸2.2~3.2(微米)、优化比K=2.2±0.1的合金产品。

2、根据权利要求1所述的制取粗WC的工艺,其特征在于以颗粒度大于12(微米)的W粉,经1870±50(℃)的碳管炉中以每50~60分钟推一舟的速度碳化制取总碳(6.14~6.16)%、游离碳小于0.06%、铁小于0.1%、松装比重大于5.5(克/厘米3)、平均粒度大于12(微米)结晶完整的粗WC粉。

3、根据权利要求1所述的制取细WC粉的工艺,其特征在于以粒度大于5(微米)的W粉于1750~1800℃的碳管炉中,以每50分钟推一舟的速度碳化制取总碳(6.14~6.16)%,游离碳小于0.05%,铁小于0.1%,松装比重大于5(克/厘米3),平均粒度6~12(微米),结晶完整的细WC粉。

4、根据权利要求1所述的制取大于5(微米)的W粉的工艺,其特征是WO3粉在900~930(℃)的马弗炉中一次还原制得6~9(微米),松装比重大于5(克/厘米3)的细W粉。

5、根据权利要求1所述的两次投料湿磨工艺,其特征是第一次将占总WC重量的67%的细WC粉和按牌号配定的批量钴粉以及每公斤粉末加入0.2立升工业酒精投入球料比为4∶1的滚动球磨机中,研磨23小时,第二次投入占总WC重量的33%的粗WC粉加入第一次比例相同的酒精,继续研磨14小时。

6、根据权利要求1所述的WC优化比K=2.2±0.1的“双重晶粒结构”合金,其特征在于平均晶粒2.2~3.2(微米)小于平均晶粒的细WC晶粒数占(68~70)%,大于平均晶粒的粗WC晶粒数占(32-30)%,其粒度分布为双峰曲线。

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