[实用新型]一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置

说明书

本实用新型涉及一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，包括碱液槽、能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网、设置在可活动筛网上的多个化腐盒、抛动架和驱动机构，所述抛动架包括第一连接部、第二连接部，第一连接部的底部与可活动筛网的一侧连接，第一连接部和第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合，第二连接部与驱动机构连接。本实用新型通过驱动装置带动可活动筛网在碱液槽中上下移动进一步带动化腐盒在碱液中上下浮动，实现化腐盒的机械抛动，来满足硅片碱腐蚀时与碱液充分接出反应，无需人工上下提拉化腐盒，避免了操作过程中高温碱液溅出烧伤操作人员。

技术领域

本实用新型涉及半导体晶圆加工领域，具体涉及一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置。

背景技术

半导体晶圆的主要加工流程包括拉晶→滚磨→切片→清洗→倒角→研磨→清洗→腐蚀→清洗→抛光→清洗→包装，晶圆硅片在经过金刚线切割以及研磨等机械加工后，其表面因机械加工产生的应力而形成有一定深度的损伤层，通常采用化学腐蚀来消除表面的损伤层。化学腐蚀一般分为酸腐蚀和碱腐蚀，酸腐蚀通常是采用HF、HNO₃、CH₃COOH的一定比例混合酸液在一定温度下与单晶硅片发生化学反应，而碱腐蚀通常是采用一定浓度的KOH水溶液在高温条件下与单晶硅片发生化学反应，反应原理为：Si+2OH^-+H₂O＝SiO₃^2-+2H₂,碱腐蚀相对酸腐蚀来说具有工艺简单，腐蚀液无需搅拌、腐蚀速率可控、环保处理容易、无毒、废液可回收利用，成片表面平坦等优点，现有碱腐蚀工艺为，硅片通过化腐盒承载，人工将化腐盒放入碱液槽内，并通过周期性提拉化腐盒来使硅片与碱液充分接触反应。

在碱腐蚀工艺流程中，硅片刚接触碱液时，由于表面缺陷损伤层较多，反应较为剧烈，伴随大量氢气生成，氢气泡附着在硅片表面带动硅片浮出化腐盒，因此在硅片刚放入碱液槽内时需要人工上下提拉化腐盒，防止硅片脱离化腐盒，硅片在化腐盒内稳定后仍需要每隔2～3分钟上下提拉化腐盒，以保证硅片与碱液充分接触反应。碱腐蚀液温度一般为95±5℃，高温碱液对人体具有强腐蚀性，尽管操作员穿戴个人防护设备，但仍存在较大操作风险及安全风险。

实用新型内容

针对上述技术问题，本实用新型的主要目的在于提供一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，包括碱液槽、能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网、设置在可活动筛网上的多个化腐盒、抛动架和驱动机构，所述抛动架包括第一连接部、第二连接部，第一连接部的底部与可活动筛网的一侧连接，第一连接部和第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合，第二连接部与驱动机构连接。

进一步的，可活动筛网上开设有能够对化腐盒底部进行卡嵌固定的卡槽。

进一步的，所述驱动机构包括偏心轮和与现场控制柜相连的电机，抛动架位于碱液槽外的第二连接部的底部与偏心轮的外缘抵接；与现场控制柜连接的电机的主轴固接在偏心轮远离碱液槽侧壁的一侧。

进一步的，抛动架位于碱液槽外的第二连接部的底部设有沿水平方向延伸的导向槽，导向槽与偏心轮的外缘嵌合。

进一步的，抛动架为U型。

进一步的，本实用新型还包括覆盖于化腐盒上端的防漂筛网。

优选地，防漂筛网上设有把手。

进一步的，防漂筛网的至少一个边缘设有导轮，碱液槽相应的内壁设有沿竖直方向延伸的导轮轨道。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：