[实用新型]一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置有效
申请号: | 202320604188.5 | 申请日: | 2023-03-24 |
公开(公告)号: | CN219350165U | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 姚剑龙;周涛;赵娜;宋亚峰 | 申请(专利权)人: | 洛阳鸿泰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 洛阳华和知识产权代理事务所(普通合伙) 41203 | 代理人: | 李征 |
地址: | 471023 河南省洛阳市涧西区*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 单晶硅 腐蚀 装置 | ||
1.一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,包括碱液槽、能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网、设置在可活动筛网上的多个化腐盒、抛动架和驱动机构,所述抛动架包括第一连接部、第二连接部,第一连接部的底部与可活动筛网的一侧连接,第一连接部和第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合,第二连接部与驱动机构连接。
2.如权利要求1所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,可活动筛网上开设有能够对化腐盒底部进行卡嵌固定的卡槽。
3.如权利要求1所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,所述驱动机构包括偏心轮和与现场控制柜相连的电机,抛动架位于碱液槽外的第二连接部的底部与偏心轮的外缘抵接;与现场控制柜连接的电机的主轴固接在偏心轮远离碱液槽侧壁的一侧。
4.如权利要求3所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,抛动架位于碱液槽外的第二连接部的底部设有水平方向的导向槽,导向槽与偏心轮的外缘嵌合。
5.如权利要求3或4所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,抛动架为U型。
6.如权利要求1所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,还包括覆盖于化腐盒上端的防漂筛网。
7.如权利要求6所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,防漂筛网上设有把手。
8.如权利要求6所述的一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置,其特征在于,防漂筛网的至少一个边缘设有导轮,碱液槽相应的内壁设有沿竖直方向延伸的导轮轨道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造