[实用新型]废气处理装置有效
| 申请号: | 202320419960.6 | 申请日: | 2023-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN219441159U | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 佘荣宇 | 申请(专利权)人: | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号: | B01D53/00 | 分类号: | B01D53/00;B01D46/64;B01D46/79;B01D46/88;B01D5/00 |
| 代理公司: | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人: | 黄梅 |
| 地址: | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 废气 处理 装置 | ||
本公开提供一种废气处理装置,包括罐体和冷却管,罐体内具有容置空间,罐体上设置有进气口、排气口、进液口和出液口,进气口与排气口通过容置空间连通,冷却管从进液口延伸至容置空间内并从出液口伸出,容置空间内设置有过滤部件,冷却管包括冷凝容置空间内气体的冷凝段,冷凝段呈螺旋状绕设在过滤部件上。本公开的废气处理装置,一方面,螺旋状冷凝段增加了与气体的接触面积,提升了冷凝效果;另一方面,基于过滤部件的设置,避免了冷凝后副产物跟随气流流动而堵塞排气口;从而降低了维护频率,缩短了维护周期和更换频率,进而提升了机台运行时间。
技术领域
本公开涉及半导体制造设备技术领域,具体地,涉及一种废气处理装置。
背景技术
在半导体制造过程中,氮化硅沉积工艺时需要经过沉积炉进行过滤,氮化硅工艺产生的副产物为氯化铵,其化学特性为遇冷易凝结,由于目前常规的沉积炉管在日常沉积时,冷却收集装置只是单一的通过设备冷却水(Process cooling water,简称PCW)直流管道循环给气体降温,接触面积小,冷凝效果不佳,导致冷却收集装置的预防性维护(PM)频率较高,影响机台运行时间。并且,随着处理批次增加,副产物会堆积在隔板上,当气流通过炉管时凝结的副产物会跟随气流流动,将排气口堵塞,从而导致沉积炉维护周期短,更换频繁,机台运行时间短。
随着半导体产业的发展,机台运行时间需求也逐步提高,如何缩短维护时间,提高机台运行时间就成了亟待解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,为了至少部分的解决上述问题,本公开提供一种废气处理装置,技术方案如下。
一种废气处理装置,包括罐体和冷却管,所述罐体内具有容置空间,所述罐体上设置有进气口、排气口、进液口和出液口,所述进气口与所述排气口通过所述容置空间连通,所述冷却管从所述进液口延伸至所述容置空间内并从所述出液口伸出,所述容置空间内设置有过滤部件,所述冷却管包括冷凝所述容置空间内气体的冷凝段,所述冷凝段呈螺旋状绕设在所述过滤部件上。
可选择地,所述容置空间内还设置有喷淋部件,所述喷淋部件具有朝向所述过滤部件喷洒液体的喷淋口。
可选择地,所述过滤部件包括滤网和滤芯,所述滤网具有环形空间,所述滤芯通过可拆卸结构设置在所述环形空间内,所述冷凝段绕设在所述滤网上并位于所述环形空间外。
可选择地,所述滤网包括第一网状部和第二网状部,所述第一网状部与所述第二网状部围合形成所述环形空间。
可选择地,所述罐体包括罐本体和罐盖体,所述罐本体一端上具有开口,所述罐盖体可拆卸的设置在所述开口处,所述排气口、所述进液口和所述出液口皆设置在所述罐盖体上。
可选择地,所述喷淋部件包括喷淋管,所述喷淋口开设在所述喷淋管上,所述喷淋管通过安装架设置在所述罐盖体上。
可选择地,所述喷淋管、所述冷却管通过三通接头与所述进液口相通。
可选择地,所述废气处理装置还包括有控制器和能够检测所述容置空间内压力的压力检测器,所述喷淋管上设置有开关,所述压力检测器及所述开关分别与所述控制器电连接。
可选择地,所述罐本体具有与所述开口相对设置的罐底壁,所述罐底壁上连接有排水部件。
可选择地,所述排水部件包括接水槽和抽水泵,所述罐底壁上开设有连通所述容置空间与所述接水槽的连通孔,所述抽水泵与所述接水槽相连以能够抽取所述接水槽内的液体。
本公开具有如下有益效果:由于在容置空间内设置过滤部件,且冷却管的冷凝段呈螺旋状绕设在过滤部件上,一方面,螺旋状冷凝段增加了与气体的接触面积,提升了冷凝效果;另一方面,基于过滤部件的设置,避免了冷凝后副产物跟随气流流动而堵塞排气口;从而降低了维护频率,缩短了维护周期和更换频率,进而提升了机台运行时间。
以下结合附图,详细说明本公开的优点和特征。
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