[实用新型]一种半导体硅片间距调整装置有效
| 申请号: | 202320388486.5 | 申请日: | 2023-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN219513068U | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | 姚剑龙;周涛;宋亚峰 | 申请(专利权)人: | 洛阳鸿泰半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673 |
| 代理公司: | 洛阳华和知识产权代理事务所(普通合伙) 41203 | 代理人: | 李征 |
| 地址: | 471023 河南省洛阳市涧西区*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 硅片 间距 调整 装置 | ||
本实用新型关于一种半导体硅片间距调整装置,包括第一转接盒、第二转接盒和整体呈U型的调整轨道,第一转接盒内设有若干第一片槽,第二转接盒内设有若干第二片槽,且第一转接盒入口端与标准承载盒尺寸规格一致;第二转接盒出口端与酸腐载具的尺寸规格一致;所述调整轨道入口端与第一转接盒出口端竖直连接,出口端与第二转接盒入口端竖直连接,分布在该调整轨道上的调整片槽入口端与第一片槽连接,出口端与第二片槽连接,且由入口端到出口端,相邻调整片槽之间的间距逐渐增大。本实用新型可实现硅片之间的间距调整,从而实现标准承载盒和酸腐载具之间硅片的批量转移。
技术领域
本实用新型适用于半导体晶圆硅片酸腐加工技术领域,具体涉及一种半导体硅片间距调整装置。
背景技术
半导体硅片在经过研磨机械加工后,表面会存在一定深度的机械损伤层,由于损伤层在高温下会引入滑移位错,对器件性能产生严重影响,因此在硅片研磨后需要去除损伤层,机械损伤层可以通过化学腐蚀(酸腐/碱腐)来进行消除。
硅片在研磨片清洗及酸腐蚀间流动传送是依靠标准规格承载盒进行承载,但是其标准承载盒因与加工时载具无法做到对接匹配(标准承载盒的硅片间间距远小于酸腐载具上的硅片间距),也就导致无法满足批量对接功能,只有通过人工操作+真空吸笔来进行硅片的单片位移操作,但是人工单片取放操作效率偏低,且易出现掉片,降低制程效率及良率。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种新型结构的半导体硅片间距调整装置,使其能够通过不同部件之间的转接将半导体硅片间的间距调整至与酸腐载具相匹配,从而能够将硅片批量转移至酸腐载具。
本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种半导体硅片间距调整装置,包括第一转接盒、第二转接盒和整体呈U型的调整轨道,其中,第一转接盒内设有若干第一片槽,第二转接盒内设有若干第二片槽,且第一转接盒入口端与标准承载盒尺寸规格一致,能够与标准承载盒对接实现半导体硅片的批量转接;第二转接盒出口端与酸腐载具的尺寸规格一致,能够与酸腐载具对接实现半导体硅片的批量转接;所述调整轨道入口端与第一转接盒出口端竖直连接,出口端与第二转接盒入口端竖直连接,分布在该调整轨道上的调整片槽入口端与第一片槽连接,出口端与第二片槽连接,且由入口端到出口端,相邻调整片槽之间的间距逐渐增大。
本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的半导体硅片间距调整装置,所述调整片槽中间位置的宽度最大,由中间向两端宽度逐渐减小,以便于与第一片槽和第二片槽连接。
前述的半导体硅片间距调整装置,所述第一片槽和第二片槽的宽度一致,所述调整片槽入口端和出口端的宽度均与第一片槽的宽度一致。
前述的半导体硅片间距调整装置,所述在调整轨道上,各个调整片槽沿其延伸方向向调整轨道宽度方向的偏移0-3度。
前述的半导体硅片间距调整装置,所述第一转接盒背离第二转接盒的一侧以及第二转接盒背离第一转接盒的一侧均设有把手。
前述的半导体硅片间距调整装置,所述调整轨道包括上弧板、下弧板和连接两弧板的两个侧板,其中上弧板和下弧板上设置调整凸片形成调整片槽。
前述的半导体硅片间距调整装置,所述第一转接盒和第二转接盒位于同一水平面上。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本实用新型可达到相当的技术进步性及实用性,并具有产业上的广泛利用价值,其至少具有下列优点:
本实用新型可实现半导体硅片之间的间距调整,从而使得位于片槽间距较小的标准承载盒内的半导体硅片能够经由该调整装置增大硅片间间距,从而能够适应酸腐载具上的片槽间距,实现半导体硅片的批量转移;且也可将位于酸腐载具上间距较大的半导体硅片间距调小,从而使其能够经该调整装置批量转移至标准承载盒内;操作简单,且转移快速可靠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





