[实用新型]碳化硅功率器件

说明书

本实用新型提供了一种碳化硅功率器件，包括：分压环结构和单胞结构；单胞结构包括第一横向结构、竖向结构以及弧形结构；第一横向结构的一端连接设置在分压环结构上，竖向结构的两端分别连接设置在分压环结构和第一横向结构上；第一横向结构和竖向结构设置在分压环结构的弯角位置处，第一横向结构、竖向结构以及分压环结构的弯角部之间形成独立单胞区域；弧形结构连接设置在第一横向结构和竖向结构上，弧形结构位于独立单胞区域内。本实用新型能够解决传统梳状结构器件存在的角落位置电场强度分布不均的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种碳化硅功率器件。

背景技术

现有的传统梳状碳化硅功率器件的单胞设计由于梳状模式自身特性，对电场强度的分散能力在角落位置无法达到理想的均匀程度。传统的结构角落与中间部分相同,但实际使用中，中间部分受到的电场强度都来自横向，角落部分则会受到来自横向和纵向两种方向电场压力的影响，形成多一方向或者说多一维度的电场影响，角落部分多出的这一维度的电场压力就会造成角落部分的挤压效应，使角落部分电场强度与中间部分形成差异，相当与于在原结构中角落部分在用二维的结构来承受三维的电场强度，在这种情况下原结构的角落部分极易出现由于电场分布不均而产生的漏电情况，导致碳化硅功率器件的角落部分被提前击穿。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种碳化硅功率器件。

根据本实用新型提供的一种碳化硅功率器件，包括：分压环结构和单胞结构；所述单胞结构包括第一横向结构、竖向结构以及弧形结构；

所述第一横向结构的一端连接设置在所述分压环结构上，所述竖向结构的两端分别连接设置在所述分压环结构和所述第一横向结构上；

所述第一横向结构和所述竖向结构设置在所述分压环结构的弯角位置处，所述第一横向结构、所述竖向结构以及所述分压环结构的弯角部之间形成独立单胞区域；

所述弧形结构连接设置在所述第一横向结构和所述竖向结构上，所述弧形结构位于所述独立单胞区域内。

优选的，所述竖向结构与所述第一横向结构相互垂直设置。

优选的，所述弧形结构为呈扇形设置。

优选的，还包括第二横向结构，所述第二横向结构连接设置在所述竖向结构上，所述第二横向结构位于所述独立单胞区域之外的单胞区域内。

优选的，所述分压环结构包括依次连接设置的分压环竖直部、分压环弯角部以及分压环水平部；

所述第一横向结构的一端连接设置在所述分压环竖直部上，所述竖向结构的两端分别连接设置在所述分压环水平部和所述第一横向结构上；

所述第一横向结构、所述竖直结构以及所述分压环弯角部之间形成所述独立单胞区域。

优选的，所述分压环竖直部、所述分压环弯角部以及所述分压环水平部一体成型设置。

优选的，所述弧形结构中部的宽度大于所述弧形结构两端部的宽度。

优选的，所述弧形结构中部的宽度为所述横向结构宽度的1.4～1.5倍。

优选的，所述第一横向结构与所述分压环结构一体成型设置。

优选的，所述竖向结构与所述第一横向结构、所述分压环结构一体成型设置。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

1、本实用新型的碳化硅功率器件采用扇形设计将角落部分划成单独区域，以及在角落每部分用扇形注入的结构代替原横向注入并做加宽处理增强角落部分的电场分散能力，以解决传统梳状结构器件存在的角落位置电场强度分布不均的问题；