[实用新型]一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板

说明书

本实用新型公开了一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，涉及IGBT基板技术领域，其包括：基板本体，所述基板本体的上部设置有铝合金层，所述铝合金层的上表面固定连接有散热底部，所述散热底部的上部固定连接有散热尖部，所述散热底部的内部设置有吸热液体，所述基板本体的两侧面设置有半导体制冷片，所述半导体制冷片的侧面设置有散热槽。通过设置的散热底部、散热尖部、吸热液体，可以提高铝合金层的散热效果，并且吸热液体可以从液体和气态相互转换，吸收更多的热量；设置的散热槽，可以提高空气与半导体制冷片之间的接触面积，进一步提高整体的散热效果。

技术领域

本实用新型涉及IGBT基板技术领域，特别涉及一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板。

背景技术

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由一种由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，作为一种常见的电子器件已经广泛应用在各种电子设备上。

IGBT基板材料为铜以及铝碳化硅复合材料制成，如申请号为：“201721670812.2”的中国专利，其名称为：“一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板”，包括焊接面和散热面，所述焊接面为平面结构，所述散热面为拱形结构，所述焊接面和散热面均为铝合金层，所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层，所述焊接面、AlSiC层和散热面为一体结构；所述IGBT基板的两侧还包括半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷端与所述IGBT基板的两侧贴合。该实用新型所述IGBT基板具有较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数，散热速度快。

上述的IGBT基板依靠铝合金层和半导体制冷片，提高整体的散热效果，但是，铝合金层和半导体制冷片仅依靠表面积进行散热，散热的效率有待提高，使用起来散热效果不够理想。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的之一在于提供一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，通过设置的散热底部、散热尖部、吸热液体，可以提高铝合金层的散热效果，并且吸热液体可以从液体和气态相互转换，吸收更多的热量；设置的散热槽，可以提高空气与半导体制冷片之间的接触面积，进一步提高整体的散热效果。

本实用新型的目的之一采用如下技术方案实现：一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，包括基板本体，所述基板本体的上部设置有铝合金层，所述铝合金层的上表面固定连接有散热底部，所述散热底部的上部固定连接有散热尖部，所述散热底部的内部设置有吸热液体，所述基板本体的两侧面设置有半导体制冷片，所述半导体制冷片的侧面设置有散热槽。通过设置的散热底部、散热尖部、吸热液体，可以提高铝合金层的散热效果，并且吸热液体可以从液体和气态相互转换，吸收更多的热量；设置的散热槽，可以提高空气与半导体制冷片之间的接触面积，进一步提高整体的散热效果。

根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热尖部和散热底部相连通。保证吸热液体可以进入散热尖部。

根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述吸热液体为散热底部容积的1/3。为吸热液体变成气态提供容纳空间。

提供所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热尖部剖面的形状为梯形。

根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热尖部和散热底部的数量有六个，且为对称设置。

根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热槽的长度与半导体制冷片的长度相同。增大散热的面积。

根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热槽剖面的形状为圆弧形。

根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述铝合金层的上表面为圆弧状。